Mn掺杂Ga2O3薄膜的制备、结构和光学性能研究

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【摘要】

：

Ga_2O_3是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度(E_g)为4.2～4.9 eV,其导电性能和发光特性长期以来一直受到人们的关注。Ga_2O_3有5种晶体结构,包括α-Ga_2O_3、β-Ga_2O_3、γ-Ga_2O_3、ε-Ga_2O_3、δ-Ga_2O_3。其中具有单斜结构的β-Ga_2O_3在室温下最稳定,在稀磁半导体、发光材料、气体传感器、GaAs太阳能电池的消反射涂层、深紫外透明导电氧化

【作者】

：

胡帆

【机构】

：

郑州大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

Ga2O3薄膜 Mn掺杂磁控溅射微观结构光学性能

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