随着社会的不断发展，人们所设计的集成电路中的半导体器件的工作频率日益提高，能够工作在太赫兹(THz)频率下的电子器件,以及作为新兴技术的太赫兹和相关的技术,越来越受到人们的重视。作为半导体器件之一的等离子体波器件,得益于电子等离子体波特有的工作频率,是可能工作在这个频率下的器件之一,有可能作为将来的太赫兹波发生器和接收机的核心部件的组成部分,有很大的应用前景及研究意义。本文介绍了MOSFET和HEMT的基本原理，介绍了器件反型层中的电子集团的二维电子气模型。说明了等离子体波的基本概念，介绍了描述器件反型层中的二维电子气的流体模型。求解了HEMT的非共振响应的基本方程，得到了其非共振响应的解析表达式，并以这个过程为基础，编写了计算这个响应的MATLAB程序。提出了一个对已有算法的可能的改进算法，并以MATLAB程序加以验证。对一些求解响应和编写程序过程中可能出现的问题进行了说明。