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氮化镓（GaN）是一种前景甚佳的直接宽带隙半导体材料,具有优良的光、电学性质和优异的机械性质及热的稳定性,是当前世界上最为先进的半导体材料之一。它可用作发光二极管,并可用于荧光灯和白炽灯。它还具有光催化剂特性,这使它成为燃料电池的潜在用料。GaN及其合金的带隙覆盖了从红光到紫外的光谱范围,其高亮度发光二极管和激光器一经出现即以惊人的速度实现了商品化,目前GaN广泛应用于制造蓝绿光发光二极管（LED）,激光器（LD）,紫外波段的探测器以及高温大功率集成电路等器件,并且还可作为环保新材料应用于环境保护,成为近年来半导体材料研究的热点,是制作性能优越的光电器件的理想材料。研究表明,GaN粉末在制造光电、大功率、高温电子器件方面的作用正逐渐受到重视,GaN粉末在生长高质量的GaN薄膜和GaN纳米线过程中发挥着源的作用,S.H.Lee等认为GaN粉末的制备在柱状GaN薄膜的生长和纳米尺寸的光学技术的应用等方面正起着越来越重要的作用,另外,GaN粉末本身也可以作为高质量的荧光粉。一般把升华法和高压溶液法认为是合成GaN晶体的有效方法,但是这些方法要求高质量和单相的GaN粉末源作为前体材料。因此直接合成高质量的GaN粉末是当前国际上一项重要研究课题。1993年,P.Millet等采用新颖的热机械合金过程首次合成GaN粉末,但此方法耗时长且得到的粉末纯度不高。1996年,H.D.Li等人报道采用直流等离子弧光法通过Ga与N2和NH3的混合气体反应合成超纯GaN粉末,粉末的纯度有所提高,但纯度不易控制且操作复杂。在本文中,主要探索了一种新的两步合成颗粒状GaN粉末的制作途径,即利用溶胶-凝胶和高温氨化二步相结合的方法,利用镓酸三乙脂（Ga（OC2H5）3）作为前驱体形成的Ga2O3凝胶作为镓源,以NH3（99.99%）为氮源,使它们在L4513II-2/QWZ型高温扩散炉中高温氮化20min获得GaN粉末。实验和测试结果表明利用溶胶-凝胶和高温氨化二步法制备GaN粉末的最佳条件与溶胶-凝胶法制备凝胶的不同工艺条件有关。本实验中我们利用Ga（OC2H5）3作为反应前驱物和无水乙醇相混合制备凝胶采用四个不同的配比,即Ga（OC2H5）3和无水乙醇的配比分别为:（1）2:40;（2）2:70;（3）2:100;（4）2:130。实