SnO₂电极具有优越的高温导电性能,具有对玻璃熔体耐腐蚀、无污染等特性,因此,SnO₂电极几乎可以用于所有玻璃品种的熔制,特别适用于含铅玻璃、光学玻璃等高档玻璃的熔制。由于纯SnO₂本身属于不导电、难烧结的材料,制备SnO₂导电陶瓷首要解决的问题是如何提高SnO₂的导电性能和烧结性能。目前国内SnO₂研究主要集中在气敏陶瓷、压敏陶瓷和导电薄膜等方面,关于SnO₂电极方面的研究很少,国产电极偏中低档,高品质电极主要依赖进口,因此,研究电学性能和烧结性能俱佳的国产二氧化锡电极成为当务之急。论文研究了原料制备、成型工艺和烧结工艺等方面,建立了一种新的制备SnO₂电极的工艺方法,并且探讨了不同添加剂及其含量对电极性能的影响。根据各种测试结果分析各掺杂元素、掺杂含量、烧结工艺对SnO₂电极性能的影响机理,成功的制备了电阻率和致密度均优于国产电极的新型SnO₂电极。考虑到纳米粉体的粒径小、比表面能大,可以改善SnO₂电极的烧结;另外化学合成法制备的纳米SnO₂原料纯度高,可以减少工业原料带来的杂质。第二章研究了复合掺杂超细SnO₂粉体的制备。采用共沉淀法制备了单元素La掺杂,La、Sb、Ce、Zn复合掺杂超细SnO₂粉体,运用共滴的方式保证pH值的恒定。由XRD和TEM测试可知,得到的SnO₂为四方晶系金红石结构,粉体呈近球形,晶粒发育完整,组织均匀细小,粒径在10-25nm;掺杂不改变SnO₂的晶型,掺杂元素La含量的增加抑制了SnO₂的结晶。制备好了粉体,接下来在经历了粉体造粒、干法成型、坯体烘干等过程后得到了复合掺杂SnO₂电极。第三章研究了制备过程中成型压力、烧结温度对样品电阻率的影响,确定成型压力为30Mpa,烧结温度在1300-1400℃时,SnO₂电极电阻率最小。通过添加剂对电阻率的影响发现La₂O₃、Sb₂O₃的掺杂对提高SnO₂电极的电学性能效果显著,并探讨了它们的掺杂导电机理,确定了La₂O₃、Sb₂O₃的最佳掺杂含量为1.5wt%和1.0wt%,该含量下的电阻率为98Ω·cm,远低于国产电极的185Ω·cm。La₂O₃的掺杂可以很好的改善SnO₂电极的导电性能,为了探索La₂O₃的掺杂量和烧结工艺对SnO₂电极致密化有什么样的影响。第四章研究确定了最佳烧结方案和最高烧结温度;在最佳烧结工艺下考察了La₂O₃掺杂量对SnO₂电极的体积密度和烧结性能的影响,探讨了La₂O₃掺杂致密化机理。结果表明La₂O₃掺杂对提高SnO₂电极的致密度有很大的帮助。随着La₂O₃含量的增加,样品的体积密度先增大后减小。当La₂O₃含量为1.5wt%时,体积密度最好,能达到6.514g·cm^-3,优于国产电极的6.4g·cm^-3。目前SnO₂电极研究几乎没涉及到掺杂稀土元素Pr,为了研究掺杂Pr对电极性能产生的影响,第五章研究了Pr₂O₃掺杂含量对SnO₂电极性能的影响。发现Pr₂O₃的引入对改善二氧化锡电极的性能并不明显。主要是因为Pr₂O₃的引入使其他元素（Zn、La和Sb）向SnO₂晶体表面富集,破坏了SnO₂晶格的完整性和有序性,导致SnO₂电极难以致密化的同时也使其电阻率迅速上升。