激光诱导击穿光谱(LIBS)技术已广泛应用于微量元素检测、环境保护和空间探索等领域。然而,因为其检测限过高,限制了该技术更深入的发展和更广泛的应用。为了提高LIBS技术性能,我们实验室最近提出了激光烧蚀-快脉冲放电等离子体光谱检测技术(LA-FPDPS)。和LIBS技术类似,在LA-FPDPS技术中光谱强度代表了探测元素的浓度信息。谱线强度和等离子体的连续辐射光谱强烈地依赖于等离子体的形成演化机制,为了进一步扩大LA-FPDPS技术的应用范围,对影响等离子体形成的物理机制以及辐射特性的参数的分析以及对等离子体羽形成过程的动力学特性的探究是至关重要的。电子温度和电子数密度是等离子体中两个重要的参数,与等离子体辐射光谱密切相关,它们直接影响着等离子体的辐射特性。特别是等离子体电子数密度被用来评估等离子体是否处于局部热平衡状态(LTE),运用等离子体原子发射光谱技术是以满足LTE条件为前提的。因此,本文对激光烧蚀快速脉冲放电等离子体温度和电子数密度进行了深入的研究。首先,分别介绍了激光诱导击穿光谱技术(LIBS)和激光烧蚀-快速脉冲放电等离子体光谱技术(LA-FPDPS)。对等离子体的形成膨胀过程以及LTE,谱线展宽等概念都做了介绍。详细的介绍了利用谱线的Saha-Boltzmann斜线法以及Stark加宽来计算等离子体电子温度和电子数密度的过程。然后,介绍了实验装置,通过分析不同放电电压下谱线强度的相对标准偏差(RSD)和信号信噪比(S/N)找到LA-FPDPS实验的最佳放电电压。详细介绍了研究激光诱导等离子体和激光烧蚀放电等离子体温度和电子数密度的过程。土壤放电等离子体温度和电子数密度均高于激光等离子体的温度和电子数密度。电子温度和电子数密度随着放电电压的增大而增大。和土壤等离子体相比,纯Si激光等离子的温度虽然比放电等离子体温度的温度高,随着电压的增大也在增加,但纯Si放电等离子体的电子数密度似乎没有随着放电电压的增加而增大,和纯Si激光等离子体几乎相等。可能是由于在纯Si晶体中有较高的电离能,从而限制了Si等离子体中自由电子的形成。此外,对纯Si激光等离子体和火花放电等离子体的电子温度和电子数密度的空间分布进行了研究。最后,利用LA-FPDPS技术,对土壤样品进行了定标实验,获得了几中微量元素的定标曲线以及对应的检测限。