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本文选用底栅底接触结构的有机薄膜晶体管(Organic Thin film transistor,OTFT)作为气体传感器,首次使用p型半导体材料α-8T作为气敏材料,将α-8T和RGO对P3HT材料进行掺杂制备了不同的敏感薄膜,对OTFT气体传感器的电学特性和敏感特性及气敏机理进行了系统分析。论文主要研究内容如下:1、制备并研究了不同质量比、不同膜厚的P3HT-α-8T复合薄膜及基于P3HT和α-8T的不同薄膜结构对有机薄膜晶体管气体传感器性能的影响。对比4种薄膜结构的OTFT,发现复合薄膜OTFT具有最优的电学性能和气敏性能。结果表明:随着α-8T掺杂量的增加,P3HT-α-8T复合薄膜OTFT的阈值电压会正向移动,源漏电流和载流子迁移率也在变大;并且随着薄膜厚度的增加,也产生了相同的变化。还对上述OTFT气体传感器进行NH3的气敏性能研究,结果表明:P3HT-α-8T-TFT比P3HT-TFT更为稳定,并且响应速度/恢复速度更快,其中质量比为2:1,气喷量为1ml的P3HT-α-8T-TFT对NH3的响应最大,并且灵敏度也是最高的,而且此器件的重复性能达到95.8%。此外,还对低浓度NH3进行了气敏测试,P3HT-α-8T-TFT对5 ppm的NH3的响应达到了9%。对薄膜进行了表征,更深层的分析了复合薄膜提高载流子迁移率的原因以及气敏机理。2、采用P3HT、RGO制备了P3HT-TFT和分别稀释50倍和30倍的RGO-P3HT复合薄膜OTFT气体传感器,发现掺杂RGO后,复合薄膜源漏电流比P3HT-TFT大,阈值电压正向移动,并且随着P3HT-RGO复合薄膜中RGO浓度的增加,阈值电压正向移动更加强烈,OTFT的源漏电流和载流子迁移率逐渐增大。对上述OTFT气体传感器进行NH3(20~100 ppm)的气敏性能研究和对低浓度(0~25 ppm)NH3进行了探测,结果表明:掺杂石墨烯后敏感薄膜对NH3的响应和灵敏度都增加了,且低浓度(0~15ppm)的NH3有较好的恢复性能。3、设计了5种不同宽长比的3×2 OTFT气体传感器阵列,详细叙述了采用光刻法、磁控溅射、真空蒸发、剥离、划片制备OTFT阵列的实验步骤。