PECVD法制备微晶硅薄膜材料及太阳能电池

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微晶硅电池已经成为目前光伏领域研究的焦点。同非晶硅相比微晶硅电池几乎没有SWE问题,应用在电池中也几乎不受后氧化的影响,而且微晶硅的光谱吸收特性与非晶硅有一定的互补性,应用于叠层电池中可以获得更高效率的电池。基于这个目的,我们采用RF-PECVD技术制备了P、I、N三层薄膜材料和微晶硅太阳电池,并对它们的结构特性和电学特性进行了分析。本论文主要进行了如下几方面的工作:1) P层作为微晶硅薄膜太阳电池的窗口层,必须具备宽的光学带隙和高的电导率。实验研究了硅烷浓度、硼烷掺杂浓度对材料的沉积速率
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