可靠性是GaNHEMT实现产品化的瓶颈,探索器件失效机理是提升器件可靠性的基础。本论文从制约器件可靠性的潜在因素入手,开展器件可靠性评价和失效机理的相关研究工作,并取得如下研究成果:　　 1、系统分析当前可靠性评价的方法,阐述器件寿命评估的难点,详细梳理失效机理的研究进展,确定机理研究的重点和方法,为进一步探索可靠性机理提供了理论支持。　　 2、研究器件高温存储后的退化模式,重点分析金属扩散和热化学反应等因素影响微结构热稳定性的微观机理,深入讨论高温下直流特性变化的综合原因,为优化工艺参数提供了数据支持。　　 3、对器件直流工作状态下的退化模式进行分析,阐述金半接触退化诱发器件电参数偏移的机理,并利用对数经验公式估算器件寿命;分析温度加速寿命试验用于寿命估计的偏差因素,为准确评估器件可靠性奠定基础。　　 4、研究器件在高电场下的退化模式,重点分析缺陷及晶格张应变弛豫对饱和漏电流的瞬态影响,证明了栅截止电流是预兆器件退化的敏感参数,验证逆压电效应诱发器件高场退化的机理,进一步推动器件失效机理的研究。　　 5、分析高电场对晶格应变(逆压电效应)的瞬态影响,探索平面应变在高场退化中的作用,加深了逆压电效应诱发器件退化的认识;推导带AIN插入层的GaNHEMT栅电容-电压表达式,讨论势垒层缺陷对CV曲线的影响;研究栅漏电容频率色散的原因,并提出利用栅边缘电容求解缺陷密度和时间常数的方法。