总剂量辐射效应相关论文
铁电存储器（Fe RAM）是一种以铁电材料作为数据载体的非易失性存储器,因其良好的抗辐射性能,在医疗、航空航天等领域一直备受关注。然......
柔性电子器件以其独特的柔性/延展性、轻质以及低成本等优势在信息、能源、医疗以及航空航天等领域具有广泛应用前景。如何提高柔......
本文报道了国产中规模体硅CMOS电路在~(60)Coγ射线和1.5MeV电子辐照下的总剂量效应的研究结果。试验表明,器件的软失效(参数退化......
针对一种基于32位ARM微控制器的试验电路，研究其瞬时电离辐射效应和电离总剂量辐射效应.在"强光一号"脉冲加速器上进行了γ瞬时......
本文以54HC04为研究对象，进行了稳态与脉冲γ总剂量辐照效应试验，研究了稳态与脉冲γ总剂量电离辐射效应，重点对稳态和脉冲γ总剂量辐......
本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料，分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行......
本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论，主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出：总剂量辐......
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电......
本文对航空有机玻璃、工业有机玻璃和聚四氟乙烯材料进行了γ总剂量辐射效应研究.探讨了材料的电性能和力学性能随不同γ辐射剂量......
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8......
基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响.根据辐......
静态随机存储器(Static Random Access Memory)作为使用最广泛的存储器之一，具有功耗低、存取速度快等优点，因而被广泛应用于工业自......
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator, SOI)技术全介质隔离的结构彻底消除了体硅CMOS器件中的寄生可控硅结构，避免了门锁效应，同时减少......
部分耗尽绝缘体上硅(partial-depletion-silicon-on-insulator，简称PD SOI)技术，以其独特的材料结构有效地克服了体硅材料的不足，具有......
随着集成电路工艺的发展，半导体器件集成度不断提高，越来越多的大规模集成电路开始应用在卫星和航天器上，而空间辐射环境中的宇宙射线......
闪存具有高密度、快速、高可靠性等特点，越来越受到国防和空间电子应用的关注。闪存结构复杂，主要包含用于实现逻辑功能的控制电路部......
SOI(Silicon On Insulator)CMOS器件由于可以实现全介质隔离、避免闩锁效应、减小寄生电容和泄漏电流以及具有优良的电学特性而在......
本文就多核DSP的原理、性能进行了概述，对TI公司的TMS320C66X系列多核DSP的性能参数，硬件开发和应用进行了详细叙述，尤其是高速运......
高频通信模块是现代空间飞行器的必备功能组件，本文介绍了其工作原理和典型技术指标，并根据高频信号辐射性强的特点，提出了一种高......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS/SOI......
本文分析了星载通信电子侦察设备的空间辐射环境及总剂量辐射效应，阐述了抗总剂量辐射效应的设计流程及设计思路，并提出了一些结构防......
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验......
RS485通信协议要求:RS485驱动器输出短路至-7~12V时,短路电流应小于250mA。常规短路保护电路采用高压MOS实现,由于高压MOS栅极氧化......
研究了以10keY X射线为辐照源对注氧隔离（SIMOX）SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keY X射线对埋氧层加固样品与未......
利用 TCAD 仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N 沟道 MOSFET 转移特性的影响.构建了0.18μm N 沟道MOSFET的三维仿......
采用60 Co-γ射线对像增强型图像传感器进行了总剂量辐照实验,以便评估该器件在空间总剂量辐照下的微光探测性能。当总剂量达到预......
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管，并在ON偏置条件下分别对其进行了10keVX射线及^60Coγ射线总剂量辐照实验。实验......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离（SIMOX）材料进行改性，在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS／SOI反相器，并对其进行^60Co......
SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法......
本文用辐射加固和未加固的SIMOX（注氧隔离）SOI（绝缘体上硅）材料制作了Pseudo—MOS晶体管和nMOS晶体管，并进行了X射线总剂量辐射实验。结......
采用10keVX射线，对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射，分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压......
静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存......
SOI技术的研究是微电子领域发展的前沿课题，SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，被誉为“21世纪的硅集成电路技术......
为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应，分别对SRAM和ROM两种存储器进行了^40Coγ总剂量辐射实验。结果表明，这两种器件是对......
首先采用注硅的方法改进SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料,对硅注入在SIMOX材料的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇......
为评估空间辐射效应对应用于某空间相机的TDI-CCD的成像性能的影响,从器件的电路结构入手,分析了总剂量辐射效应对器件主要性能指......
针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0.13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离（sIMOx）绝缘体上硅（sOI）材料作出改性，分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS／SOI器......
对0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）及静态随机存储器（SRAM）开展了不同剂量率下的电......
随着航天技术的不断发展和信息传输数据量的快速增长,人们对数据传输率的需求也由Mbps量级增长到Gbps量级,传统的微波通信由于载波......
空间站、人造卫星等航天设备在空间环境中,会长期受到可靠性效应和总剂量辐射效应的影响。本文针对宇航环境中存在的可靠性效应和......
为了对比研究不同厂家不同SiGe HBTs器件的总剂量辐射损伤效应以及在不同偏置不同剂量率条件下SiGe HBTs器件的辐射响应规律和潜在......
近年来空间技术的快速发展，使越来越多的电子设备应用于空间设备中，空间中的辐射环境给这些电子设备带来了很大的危害。由于SOI MOSF......
SOI器件和电路的辐照效应一直是应用领域的研究焦点，本论文在系统调研SOI器件和电路国内外发展动向的基础上，分别从理论模拟和实验两......
文章分析了电子元器件在空间辐照影响下的一些性能变化，考虑实际使用环境，设计了一种辐照加固的航空总线收发器电路。该电路主要实现......
随着空间技术的发展，双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发，介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的......
