近年来，随着微电子技术、微计算机技术和信息技术的迅速发展，人们对存储器的要求越来越高，尤其在航空航天领域。而铁电存储器拥有优异的抗辐射能力，快速的读写能力，低功耗，较低的工作电压等优越的性能，成为该领域最具发展潜力的产品。本文以四氯苯醌为原料经四甲氧基苯醌、四羟基苯醌制备克酮酸，通过红外、氢核磁、质谱等表征了克酮酸的制备过程中中间产物以及副产物的结构，并讨论了四甲氧基苯醌与四羟基苯醌的制备工艺，实验结果表明：在最佳工艺条件下克酮酸的最大产率为27.5%。以制备的克酮酸为原料，利用溶液法中的蒸发法生长克酮酸单晶，研究了pH值等生长环境对克酮酸单晶的影响，最终在1mol/L的HCl溶液中生长出较为理想的晶体。对克酮酸单晶进行了X射线单晶结衍射分析，结果表明，克酮酸单晶属于正交晶系，mm~2点群，一个晶胞含有4个克酮酸分子，晶格参数为a=8.7038(4)，b=5.1695(2)，c=10.9622(4)。从克酮酸单晶的晶体结构可以得出克酮酸单晶属于有序-无序型铁电材料，分别分析了克酮酸单晶的介电常数与温度的关系曲线、介电损耗、电滞回线、漏电流等介电性能，结果表明：在外加电场为420V/cm，频率为100Hz时，克酮酸单晶具有较好的电滞回线，此时饱和极化为3.54μC/cm~2，剩余极化为1.73μC/cm~2，矫顽场为170V/cm。分析了克酮酸单晶具有铁电性的原因。