量子点(Quantum Dots,QDs)作为一种无机半导体材料,由于发射光谱窄、光谱连续可调、荧光量子产率高、稳定性好、可溶液化加工等优点受到研究者的广泛关注。而作为三基色之一,红色QDs及发光二极管(QLED)的研究对推动QDs在照明及显示领域的应用具有重要作用。目前红色QLED器件多是基于Cd Se/Cd S、Cd Se/Zn S核壳结构QDs构筑而成,其外量子效率(EQE)也已达到20%。然而,尽管Cd Se/Cd S、Cd Se/Zn S量子点的荧光量子产率(PL QY)已接近100%,但是,在器件中QDs壳层材料与空穴传输层(HTL)之间存在相对较大的能级势垒,阻碍空穴注入,导致电子和空穴注入不平衡。此外在器件工作期间,由于非辐射俄歇衰变,器件外量子效率在较高的电压下随着电流密度的增加发生滚降。因此,本论文从量子点能级结构出发,利用不同材料能带位置不同的特性,优化核壳QDs的能带阵列,提高器件载流子的注入平衡,缓解器件外量子效率滚降。本论文的主要工作如下:(1)高质量Cd Zn Se/Zn Se红色量子点合成及在QLED器件中的应用首先,通过调节Cd/Zn比例,合成出高质量的Cd Zn Se梯度合金量子点核。之后,对其进行Zn Se壳层包覆,成功制备出荧光峰位在638 nm,荧光量子产率达70%的红色Cd Zn Se/Zn Se核壳结构量子点。最后,基于Cd Zn Se/Zn Se量子点构筑的QLED器件,最高EQE为14.71%,最高亮度为106,493 cd/m2。(2)Cd Zn Se/Zn Se/Zn S和Cd Zn Se/Zn Se/Zn Se S/Zn S红色量子点合成及其在QLED器件中的应用在Cd Zn Se/Zn Se量子点基础上,进一步地生长Zn Se S、Zn S壳层。通过对壳层生长温度、时间和厚度的精准调控,同时实现了半峰宽小于30 nm、荧光量子产率大于90%、荧光峰在～626 nm的Cd Zn Se/Zn Se/Zn S和Cd Zn Se/Zn Se/Zn Se S/Zn S量子点的制备。其中,基于Cd Zn Se/Zn Se/Zn S量子点构筑的QLED器件最高EQE为20.92%,最高亮度为159,590 cd/m2。而基于Zn Se S合金层的Cd Zn Se/Zn Se/Zn Se S/Zn S量子点构筑的QLED器件,器件性能得到了明显提升:一方面,最高EQE与最高亮度分别达到22.87%、241,167cd/m2,较无Zn Se S合金层量子点提升率高达9.3%和51.1%;另一方面,在10,000cd/m2-210,000 cd/m2亮度区间,EQE始终维持在20%以上,有效地抑制了器件效率滚降。