随着通信市场的快速发展,人们对高集成度、高性能和低成本射频前端的需求愈发迫切。CMOS工艺能较好实现模拟射频电路模块和数字电路模块的集成,这满足了高集成度的需求,从而降低功耗和成本。混频器作为射频前端的关键电路之一,其电路性能将直接影响射频前端的总体性能,本文将对发射机中使用的混频器深入展开研究。论文介绍了混频器的基本理论,包括混频器的基本原理、性能参数和混频器的基本电路结构。并研究了应用最广泛的双平衡混频器,即吉尔伯特混频器,通过对吉尔伯特混频器的电路结构进行分析,提出了电流注入技术和源极负反馈技术,分析其对混频器线性度、噪声系数、转换增益的改进作用,进一步为混频器的电路设计提供知识基础。本文采用TSMC65nmCMOS工艺进行谐波抑制、增益可调谐CMOS上变频混频器的电路设计和版图实现,并进行仿真验证。仿真结果表明,该混频器的增益可以在-12～OdB增益范围内调谐,增益步进为6dB,最高增益工作条件下,噪声系数优于25dB,IIP3优于20dBm,三次谐波的抑制水平优于50dB。