射频(RF)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属-氧化物场效应晶体管(LDMOS)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的输出电容,这会降低功率效率和增益,尤其会使输出匹配的设计更困难。绝缘体上硅的横向双扩散金属-氧化物场效应晶体管(SOI-LDMOS)不仅具有良好的绝缘性能、较小的寄生电容和泄露电流,提高功率增益和耐高温操作性能,而且工艺与SOI-CMOS工艺兼容,相对体硅LDMOS工艺更加简单。本文采用ISE二维器件仿真软件对SOI-LDMOS器件进行电学性能仿真,并与普通LDMOS结构进行比较,SOI-LDMOS结构呈现出良好的性能:良好的输出特性,较小的寄生电容等。针对SOI-LDMOS射频应用中严重的自热效应和浮体效应,采用图形化SOI-LDMOS结构,该结构保留了SOI-LDMOS优势的同时消除了部分负面影响。对图形化SOI-LDMOS的跨导特性进行研究,为提高器件的跨导提供了依据。并采用多种方法改进其电容特性。本文建立了SOI高压器件的耐压模型,给出了击穿判据,为了使SOI功率器件具有较高的击穿电压,介绍了场板结构、降低表面电场(RESURF)结构等多种耐压结构。SOI-LDMOS应用于RF功率放大器时,都在某一特定频率下工作。为了保证电路不会因为器件截止而导致整个电路在高频状态下失效,器件必须具有高截止频率。本文介绍了一些结构工艺参数对截止频率的影响,给出了结构参数随截止频率变化的参考图示,为提高器件的频率特性提供了依据。