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在透明导电薄膜中，Ga掺杂的ZnO（GZO）因具有较好透明导电性、原料丰富、无毒等性能而被受到广泛的重视，但低衬底温度（室温）下制备的薄膜往往具有较大的电阻率。本论文通过H掺杂和Cu中间层改善低衬底温度下GZO薄膜的光电性能，并研究了H掺杂薄膜的热稳定性能。论文首先研究了H2引入对单层GZO和Cu薄膜的影响。结果表明，H掺杂GZO（HGZO）薄膜有更低的电阻率和更高的透光性、禁带宽度，合适流量的H2可使薄膜获得最佳的品质因子。相对未掺杂的Cu膜，H掺杂的Cu膜（HCu）的沉积速率较低，尽管其电阻率提高，但其透过率显著增加。在上述基础上，通过不同沉积阶段引入H2制备了GZO/Cu/GZO、HGZO/Cu/HGZO、HGZO/HCu/HGZO三类叠层薄膜，研究了Cu和GZO厚度对其透明导电性能的影响。结果表明：当Cu层厚度为4nm而GZO厚度为60-100nm时，三类薄膜具有最佳的品质因子。相对GZO/Cu/GZO薄膜而言，HGZO/Cu/HGZO在较薄厚度的Cu(≤4nm)层和GZO(＜80nm)层时具有更好的品质因子，而HGZO/HCu/HGZO薄膜在较厚的Cu(≥4nm)和GZO(＞80nm)层时具有更好的品质因子。为研究HGZO薄膜的热稳定性，我们制备了不同GZO厚度的GZO/HGZO薄膜，研究了不同条件下的退火对薄膜透明导电性能的影响。实验结果表明，真空和含O2气氛下退火都增加了薄膜电阻，尤其是含O2气氛下且温度大于300℃时。相对单层HGZO薄膜而言，覆盖GZO保护层能有效减缓电阻率的上升，且当厚度为40~60nm时效果最为显著。