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本文采用射频磁控溅射法制备了LiNbO_3/Si、LiNbO_3/SiO_2/Si结构薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线小角衍射、电感耦合等离子体质......
本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO/Cu、Cu/AZO和AZO/Cu/AZO三种复合结构多层膜,研究了生长温度对多层膜特性的影响,......
本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜，研究了生长温度对多层膜特性的影响，发现AZ......
氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,通过掺入Ga、Al等ⅢA族元素能在很大程度的提升薄膜的导电性能。ZnO透明导电薄......
ZnO是II-VI族直接宽禁带化合物半导体材料，在400nm-2μm波长范围内有很高的透光率，是一种新型的透明半导体材料。另外，ZnO还具有成本......
