2008年初,有团队在La(O1-xFx)FeAs体系中发现其最高超导转变温度为26K（x=0.11）,这一发现引起了人们的极大关注,随后一系列铁基超导体被发现。二元FeSe作为铁基超导体家族中结构最简单的成员,是所有铁基超导体共有的层结构单元,是四面体类PbO结构,超导相为β-FeSe,超导转变温度为8-9K。有趣的是,当用Te原子代替FeSe中的部分Fe原子时,超导转变温度可以提高到15 K。在8.9Gpa的压力下,FeSe的超导转变温度上升到36.7K。采用分子束外延技术,在Sr TiO3衬底上生长的FeSe单层膜的超导能隙打开温度可达65K。FeSe无插层元素化学成分简单,有较高的超导性能、较高的Jc、较小的各向异性,这使FeSe成为研究铁基超导体族超导电性基本机制的最佳候选者。本论文运用气相输运法成功生长出纯FeSe单晶以及一系列不同组分的元素掺杂的FeSe单晶,并对样品进行了物性表征研究,主要包含以下几个方面:（1）利用气相输运法成功地生长出一系列掺杂S、Co、Cu及纯的FeSe单晶样品。气相输运法相比较于传统的FeSe单晶生长方法,如助熔剂生长法、布里奇曼-斯托克巴杰法、无助熔剂移行熔剂浮区法等,它的生长温度较低,生长出的FeSe单晶没有任何杂峰,晶体结晶质量高,晶体尺寸大,最大可以达到厘米量级。通过X射线衍射得到的XRD扫描峰图发现,所有样品的择优取向均为00l（l=1-4）;通过SEM扫描图可以看出样品表面平整,断口处呈现层状结构;通过EDX扫描图得到的元素的特征能谱,确定元素已经掺杂成功;通过ICP-AES对样品进行精确的成分分析,得到了确定最终成分的一系列单晶样品。（2）二元FeSe超导单晶物性表征。通过对样品进行磁化率和电阻率的分析,发现运用气相输运法生长出的FeSe单晶的超导转变温度为9K。单晶具有各向异性,在88K发生结构相变。在电输运方面测量了FeSe的霍尔电阻、比热、磁阻。（3）FeSe1-xSx（x=0.07,0.13）单晶物性表征。通过对样品进行电阻和磁化率的分析,发现二者的超导转变温度分别为:10.2K和10K,发生结构相变时的温度分别为:77K和54K。（4）Fe0.96Co0.04Se单晶物性表征。通过对样品的电阻率和磁化率分析,发现单晶的超导电性被完全抑制。样品仍然有各向异性,随着温度的降低,没有发生结构相变。在电输运方面测量了样品的霍尔电阻。（5）Fe1-xCuxSe（x=0.02,0.05,0.10）单晶物性表征。通过对电阻率分析,发现掺入2%的Cu的样品的超导电性被抑制。随着温度的降低,x=0.02时,电阻表现出从金属到半导体的行为;x=0.05,0.1时,电阻表现出绝缘体行为。通过对样品进行磁矩的分析,发现样品仍具有各向异性,没有发生结构相变。掺杂Cu元素的FeSe单晶的霍尔系数（RH）与温度依赖关系不强。