静电感应器件（Static Induction Device—SID）是一类新型的电力电子器件,主要包括双极型静电感应晶体管（BSIT）、静电感应晶体管（SIT）和静电感应晶闸管（SITH）三类器件,具有其它半导体器件无法比拟的一系列优点,如控制功率大、工作频率高、电流容量大、耐高压、功耗小、噪声低、抗辐射能力强、开通关断全可控等,在很多领域得到了广泛的应用。本论文的研究工作是结合兰州市科技攻关项目“电力静电感应器件的研制”而展开的。系统地阐述了SIT、SITH的作用理论、结构、I-V特性、电流传输机制及沟道势垒的形成及关键制造工艺。在此基础上,结合器件制造的特点,对器件的相关制造参数进行了讨论分析,根据以前的实验数据和经验,设计了新的版图。实验以制备电性能优良的SID为出发点,结合SITH制作的经验和存在的问题,通过大量的实验,对部分工艺条件进行了调整。为了获得具有高的V_gs/V_gk和良好的I-V特性的器件,我们做了大量的实验。通过对试制管芯的测试,基本电性能有了明显的改善,说明了我们的制作方案是合理的、可行的。从SITH的作用机理和结构特点出发,考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命（特别是少子空穴寿命）的变化、电导调制效应等,结合实验观测,对其正向阻断态I-V特性进行了物理分析。