GaN作为一种新兴材料，在诸多的方面具有极大的应用价值，主要特点表现在宽禁带、高跨导、高饱和电流、高击穿电压等诸多的方面；在应用中，高温和微波大功率方向的应用显示出了极强的潜力和优势；而存在的主要问题则表现在可靠性方面，因此对AlGaN/GaN HENT器件的可靠性问题研究显得至关重要。本文就AlGaN/GaN HEMT器件的高场退化机理进行了研究。主要的研究工作和成果如下：文中给出了一种具有独立知识产权的AlGaN/GaN HEMT的工艺流程，以SiC作为衬底制造出了具有良好特性的AlGaN/GaN HEMT；之后对本文所介绍的AlGaN/GaN HEMT器件的高场退化效应作了进一步的研究，使两种典型器件在的高场应力下退化，从而得到了器件关键参数随应力时间的退化规律。应力过程中，阈值电压先是向正向漂移，再向负漂移，并且在向负方向漂移的过程中存在一段比较长的恢复时间。因此我们提出了一个新的模型，在提出的模型之中一个与电子被俘获和释放相关来解释这一现象。我们还提出了一种新方法（瞬态电流测量分析法）来研究GaN HEMT中电子的俘获特性。其独特性在于该方法能够与长期电可靠性实验相融合。文中对于这种测量方法和分析过程进行了详尽的说明。通过使用该方法，我们研究了GaNHEMT器件中电子被俘获和释放的动态过程，根据实验设计确定了陷阱的位置位于AlGaN势垒层中、靠近栅极的表面处、以及GaN缓冲层中，并且计算出相应的缺陷能级。