最近几年随着网络的普及信息技术的发展,各种电子产品迅速发展,对电源管理类的芯片的需求也急剧增长起来。电源管理芯片是电路系统中重要的组成部分,它的主要职责是对能量进行控制、存储和分配。特别是限制于电池材料的停滞不前,电池的容量一直没有大的进步,而电子产品的能耗却越来越高,更加凸显出电源管理芯片的重要性。电源管理芯片主要分为三种:开关电源、电荷泵式电源和低压差线性稳压器。其中占市场份额最高的就是低压差线性稳压器,即LDO(Low Dropout Regulator)。LDO作为电源管理芯片相对于其他种类的电源管理芯片,主要具有结构简单、面积小、容易集成、噪声小、功耗低等特点,适合在低功耗的射频标签之类的电子产品。LDO的电路的典型结构由误差放大器、带隙基准电路、功率管、反馈网络等部分组成。典型的LDO电路通常会在片外接一个大电容,用以确保电路系统的稳定。而随着电路的集成度提高,要求去掉片外电容,本文分析了LDO电路的环路稳定性的特点,用密勒补偿的方法来保证LDO电路系统的稳定性,从而设计出一款集成度更高的无片外电容的LDO电路。本电路要应用于RFID电子标签,因此对电路的瞬态响应也要求更迅速。然而在典型的LDO电路中,误差放大器的增益带宽积是一个常数,因此响应速度和增益是一对矛盾顾此失彼,因此为了提高瞬态响应速度,本文提出了一种推挽式电路结构。本文主要提出的LDO电路,可以有效的提高电路的响应速度,经仿真电路的瞬态响应速度大约为100ns。此外本文还提出一种过冲保护电路,在负载上的电流瞬间增大的时候,过冲保护电路可以迅速工作,将多余的电流泄放,从而保护电路正常工作。LDO电路的稳定输出电压为0.9V,功耗约为829mW。本文的运算放大器通过对常用两级运算放大器、套筒式共源共栅运算放大器和折叠式共源共栅运算放大器的分析对比,选用两级运算放大器来作为本文所采用的运算放大器。其中,运算放大器的第一级为差分对管电路,第二级为共源级电路。通过设计优化,本文提出的运算放大器的增益为64.7dB,相位裕度为61.3°,接近理想的相位裕度60°,0dB带宽为25MHz。现在的电子产品,因为电池的限制,对于低功耗要求越来越高,降低功耗的最有效的方法之一就是降低工作电压。本文主要介绍了带隙基准电路的几种典型结构,最后提出了两种输出电压低于1V的带隙基准电压。一种是基于双极晶体管的带隙基准电路,一种是基于场效应晶体管的基准电路。最后通过仿真对比,以双极晶体管为核心的基准电路的温度系数为3.7ppm/℃,而以CMOS为核心的基准电路的温度系数为11.68ppm/℃,且前者的输出电压更低,电压越低,功耗越低,因此,本文选用双极晶体管为核心的带隙基准电路,其电路功耗约为62uW。