PN结是光伏电池的核心,GaSb热光伏电池中的PN结可通过“准密封式”Zn扩散法制备,本文主要从实验和理论两个方面研究了制备GaSb电池涉及到的Zn气相扩散过程。作者实验研究了扩散源Zn球在过量、适量和不足三种情况下Zn在N-GaSb晶片中的扩散过程。研究发现:在460~500℃内,若扩散源Zn球适量,GaSb晶片表面Zn浓度几乎是恒定不变的;当扩散时间不变时,结深随扩散温度的升高呈指数增长关系;当扩散温度不变时,结深与扩散时间的二分之一次方呈线性增长关系。采用同时存在VG 0a和I G+a这两种本体主缺陷为扩散媒介的方法模拟出了扩散源Zn球适量情况下的kink-and-tail类型的Zn扩散曲线。研究发现:在460~500℃内,扩散温度变化时,表面Zn扩散率的对数值与绝对温度的倒数成线性关系;当扩散温度不变,增加扩散时间时,样品表面Zn扩散率恒定不变。调研了GaSb电池的制备方法,并选取单步Zn扩散工艺制备出了GaSb电池样品,分析了提高其量子效率的方法,对单步扩散工艺进行了改进。