在过去十年中,随着光刻技术的发展,集成电路设计与工艺已进入纳米时代。而器件特征尺寸的缩小,给集成电路设计与工艺带来新的挑战,于是出现了可制造性设计技术(DFM)。由于光刻和化学机械抛光对电路设计性能可靠性的影响较大,它们是目前可制造性技术的主要研究对象。特别是光刻工艺过程中图形失真严重,分辨率增强技术(RET)已成为制造工艺必要条件,其中包括光学邻近效应校正、移相掩膜、离轴照明与散射条插入技术,它们对光刻图形分辨率提高是很有帮助的。本文对光学邻近效应及校正技术进行研究。OPC的基本思想是对掩膜图形进行修正,从而修正在图形转移过程中由于非理想效应导致的图形失真,提高图形分辨率。目前在90nm及以下工艺节点,OPC是光刻掩膜制造的必要步骤。但是随着集成电路设计复杂度与集成度的不断提高,对全芯片OPC修正时间过长,修正后掩膜数据量激增,进而导致成本上升的问题已不容忽视。针对这一问题,本文基于标准单元进行光学邻近与修正,提出一种基于模型OPC修正原理的版图优化设计方法。在建立基于40nm工艺标准单元库过程中,对金属层版图进行了优化,并对优化后单元进行OPC处理。经过对比,优化后版图OPC修正时间缩短了15.03%,而修正后单元版图数据量降低了11%。本文在完成版图优化后,并对单元进行特征化,建立了完善的库模型文件。紧接着对单元库进行了功能验证与工具流程的验证。我们还使用ISCAS’85/89benchmark电路进行性能验证,通过对比,优化后单元库在实际电路中性能(时序、面积和功耗)能够满足设计要求,从而说明了本文提出的优化方法具有可行性。