与传统光电子器件相比,柔性电子器件具有超薄透明、轻质便携、柔性可弯曲等优点。随着柔性电子技术的发展,人们致力于开发多样化、多功能性的柔性器件。将形状记忆聚合物（SMPs）与柔性电子技术相结合,能够丰富柔性电子器件的多功能性,同时也拓宽了形状记忆聚合物的应用领域。本文首先研究了一种兼具高透光性、高耐热性的形状记忆聚酰亚胺薄膜材料（TSMPI）,然后以TSMPI作为柔性透明基板,制备了两种透明电极:嵌入式双层金属网格和单层石墨烯,在此基础上制造了具有主动变形、变刚度和形状重构特性的智能白光有机发光二极管（OLED）。首先以耐高温聚酰亚胺作为研究对象,从透光性和形状记忆效应两个角度出发,使用柔性二酐BPADA和含氟二胺TFDB单体合成TSMPI。探究了单体摩尔比和热酰亚胺化温度对TSMPI各项性能的影响,并对相关机理进行解释。单体摩尔比为0.95、最高热酰亚胺化温度为270°C得到的PI270具有较优的综合性能。PI270具有高均一性的分子量分布,其数均分子量为19.41 kg/mol,相对酰亚胺化程度为97%;在450和550 nm处的透光率分别为87%和90%,满足OLED、OPV等光电器件对基板透光率的要求;其玻璃化转变温度为234°C,初始热分解温度为520°C,耐热性能高于其他已报道的透明SMPs;拉伸强度为129 MPa,断裂延伸率为7.4%,具有较好的力学性能;形变固定率和形变回复率分别为98%和97%,具有优异的形状记忆性能。然后采用PI270作为柔性透明基板,制备了一种具有嵌入式双层金属（Au/Ag）结构的透明金属网格电极（BMG4@TSMPI）。BMG4@TSMPI的平均方块电阻值为5.2Ω/sq,在550 nm处的透光率达85%;具有超低的表面粗糙度（Ra=2.7 nm）;与基底之间存在极强附着力;经过连续2000次弯折试验后,其电阻也没有发生任何变化。以BMG4@TSMPI作为柔性透明阳极,制备了智能白光OLED器件。TSMPI的形状记忆效应赋予柔性发光器件主动变形和变刚度特性,可以在“软-硬”之间切换,从而实现其可逆的形状重构功能,器件可由二维平面结构转变为复杂的三维曲面结构,且在无外力支撑下,能长期保持稳定的临时形状;重构后的临时形状在外部热刺激下能发生形状回复,转变为初始二维平面形状。另外设计了一种基于TSMPI基板和嵌入式铝网格的柔性透明电加热膜（Alm@TSMPI）。Alm@TSMPI的电加热响应时间仅为20 s,最高表面稳态温度高达235°C,其电加热性能远超已报道的柔性透明电热膜。以嵌入式铝网格构建导电相,在不破坏SMP基体光学性能的前提下,实现了Alm@TSMPI的快速电响应,其电致形状回复时间仅为13 s,回复转变温度高达230°C,在已报道的电响应SMPs复合材料中是最高的。作为一种超薄、透明的柔性电热膜,可以将Alm@TSMPI紧密黏贴到其他SMPs基体表面,理论上可以实现转变温度低于230°C的所有SMPs的电响应。以透明形状记忆苯乙烯为例,展示了作为柔性电热膜的Alm@TSMPI在其他电响应SMPs中的应用。此外,采用电化学抛光工艺对铜箔进行表面抛光预处理,大大提高了铜箔的表面平整度,其表面粗糙度Ra由143 nm降至22 nm。以抛光铜箔作为生长基底,通过CVD法制备的铜基单层石墨烯无明显缺陷D峰,拉曼光谱中的平均I2D/IG高达2.3,总体质量优于未抛光的铜箔石墨烯。使用新的石墨烯转移方法,将单层石墨烯由铜箔无损转移到TSMPI表面。该方法以目标基底代替PMMA等支撑层,避免对石墨烯造成二次污染,得到表面超清洁的石墨烯。转移后的p G@TSMPI复制了抛光铜箔的微观形貌,其表面粗糙度为18 nm,在550nm处的透光率为86%,平均方块电阻值为310±18Ω/sq。同样以p G@TSMPI作为透明阳极进行白光OLED器件的制备,依靠TSMPI基板的形状记忆效应,石墨烯基发光器件同样实现了主动变形、变刚度和可逆的形状重构功能。