新型SM-PDP放电单元中的二次电子发射研究

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本论文从PDP的放电机理出发,利用流体模型模拟PDP放电单元中的放电过程。基于本中心自行开发研制的计算模拟软件,增加了模拟二次电子发射特性模块,对SM-PDP结构的放电过程进行二维数值模拟,研究了SM-PDP中二次电子发射特性对放电过程的影响。通过选择不同的气体种类,不同的气体掺杂浓度等,计算了相应的二次电子发射系数,给出了不同时刻电位,电场,粒子浓度和壁电荷分布等重要信息,从理论上对SM-PDP放电单元中二次电子发射对放电特性的影响进行研究分析。本论文首先研究了影响二次电子发射的主要因素,对比了不同材质表面的二次电子发射情况,确立了二次电子发射系数与入射离子能量和电场与气压比值(E/P)的函数关系。从二次电子发射的基础理论出发,参照二次电子在金属表面和半导体表面发射的数学模型,建立了二次电子在绝缘体表面(MgO)发射的数学模型。利用该数学模型,拟合了二次电子发射系数随E/P值变化的曲线。在流体模拟软件中采用该拟合曲线,得到随E/P变化的二次电子发射系数,分别针对Ne、Ar混合气体和Ne、Xe混合气体计算了随E/P值变化的二次电子发射系数情况下粒子的平均浓度随时间变化的规律以及相应的电场变化情况。针对SM-PDP放电单元结构中同时存在介质表面和金属表面的情况,本论文还对障壁表面的计算进行了改进,使该软件可以分别模拟计算金属障壁和绝缘体表面两种情况的二次电子发射。本论文同时对SM-PDP的单元结构进行分析,对比各种可能的结构,得出了能够提高粒子束聚焦性能,减少对障壁荧光粉轰击,延长显示板寿命的设计方案。
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