VDMOS是航天器上常用的大功率开关器件,是航天器电源系统、热控系统的重要组成部分。随着新型航天器对高性能国产元器件的迫切需求,国产VDMOS上星使用是必然趋势。然而目前国产VDMOS缺少基于应用状态的相关可靠性试验数据,难于形成完善的应用指南和建议以指导设计师使用。本文通过测量⁶⁰Coγ射线和重离子辐照条件下4款进口和国产宇航用VDMOS阈值电压、漏电流等关键技术参数的变化情况,对典型VDMOS的电离总剂量效应和单粒子效应规律进行了研究;结合航天八院宇航型号需求,评价了研究对象的抗辐射性能是否满足要求。基于典型应用状态,开展了板级热真空试验,研究了+70℃热真空环境中国产RCS7422SAU1型P沟VDMOS的管壳温升与工作电压、电流、开关频率的关系。通过上述研究获得了国产VDMOS上星使用所缺少的相关可靠性数据,并将相关研究结果应用到航天八院院标编制中,后续可以指导设计师有效使用国产器件。研究表明:国产RCS7422SAU1型P沟VDMOS的抗电离总剂量效应性能可以达到100krad（Si）,满足GEO轨道在轨工作八年需求;LET=99.8MeV·cm²/mg的离子辐照下,RCS7422SAU1在0V和+5V栅压下其漏极安全工作电压为-100V,不需要降额,满足GEO轨道使用要求;相同电压、电流、开关频率下,RCS7422SAU1的管壳温升要优于可替代的进口器件IRHN9150。