微波HEMT器件非平衡输运特性研究

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该文的主要工作分四个部分:一、从一些现有的成果出发,分析了AlGaAs/GaAs异质结界面附近的能带结构,通过求泊松方程和薛定谔方程组的自洽解,计算了界面GaAs一侧势阱中的准二维电子气沈度分布;二、在调制掺杂条件下,采用界面处面电荷的近似,分析了面电荷密度与掺杂浓度、隔离层厚度的关系;三、在电荷控制模型的框架下,分析了高电子迁移率器件栅压对沟道中二维电子气浓度的调控作用,并讨论了I-V曲线、跨导等器件特性;四、综合了光压效应和光生过剩载流子对AlGaAs层电势分布的改变,计算了光注入对夹断电压、I-V曲线、跨导等器件特性的影响.
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