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化学机械抛光(CMP)是目前最普遍的表面加工技术,是公认的唯一可以实现全局平坦化的抛光方法。磨料作为CMP中的重要组成部分,直接影响抛光工件加工后的表面质量。本文以水玻璃为原料,采用离子交换法制备了大粒径硅溶胶,并在此基础上,通过化学沉淀法,对纯硅溶胶进行铈锆、铈钙改性,制备抛光用CeO2/ZrO2/硅溶胶复合磨料及CeO2/Ca(OH)2/硅溶胶复合磨料。对各产品生产过程的设备选型、经济效益、环保安全方面进行合理的分析。通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)-能谱(EDS)、X射线