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粉葛是甘葛藤（Pueraria thomsonii Benth.）的干燥根,是一味常用中药。近年来,粉葛综合利用价值日益提高,已成为重要的药用植物和工业生产原料。本实验对粉葛快速繁殖体系及试管块根的诱导条件进行了研究,并探索了60Coγ射线辐照对粉葛组培苗生长发育的影响。取得了以下结果:1、粉葛试管快繁技术的研究粉葛种子的休眠主要是种皮的不透性引起的,通过机械破坏种皮的方式能使种子的萌发率达到80%。采用75%酒精和0.1%升汞作为种子表面灭菌的灭菌剂,采用两次消毒的方法可将污染率降低到15%。试管苗的增殖培养基为:MS+6-BA2.0mg/L+NAA0.1mg/L ,增殖系数为18% ;试管苗壮苗培养基为:MS+6-BA0.1mg/L+NAA0.1mg/L;试管苗的生根培养基为:1/2MS+IBA1.0mg/L,生根率为90%。2、粉葛试管块根诱导技术的研究明确了粉葛试管块根诱导的最适培养基是:MS+6-BA1.5mg/L+NAA0.1mg/L。本研究发现较高的蔗糖含量和较高的温度能促进粉葛试管块根的增粗,最适宜的含糖量和温度分别为5%和25℃,试管块根直径可达0.6cm;添加外源GA3不利于试管块根形成。3、60Coγ射线辐照对粉葛试管苗生长的影响随着辐照剂量的增大试管苗的生根受到抑制,在剂量率为1Gy/min的处理中,当剂量达到40Gy以上时,试管苗不再具备生根能力;当辐照剂量不超过10Gy时γ射线对试管苗的增高和增殖均有一定的促进作用,当剂量超过10Gy时,随着剂量的增大,试管苗的生长受到抑制,当剂量达到60Gy时,试管苗呈生长停滞状态;粉葛试管苗最适剂量是剂量率为1Gy/min条件下辐照计量为20Gy,致死剂量是剂量率为1Gy/min条件下辐照剂量为100Gy。