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GaN基紫外LED由于其效率高、耗能少、坚固耐用以及安全环保等优势,在工业及日常生活中得到了广泛应用。但是,目前量子阱结构的GaN基紫外LED发光效率仍然非常低,这严重的限制了紫外LED的发展。所以,如何提高紫外LED的发光效率,尤其是其内量子效率已经成为国内外各机构的研究热点。本文的目的就是通过提升量子阱势阱层材料生长质量来提高紫外LED器件的发光效率。本文介绍了LED器件的基本特性,对提高LED发光效率的方法进行了比较,并给出了势阱层材料In GaN的生长模型,根据生长模型对势阱层材料的生长温度和掺In流量进行了优化实验,通过对实验样品的测试与分析得出结论。以下是本文取得的主要成果:针对势阱层材料生长温度对材料质量的影响,本文首先进行了生长温度升高序列实验,并对样品进行了材料和器件的测试。测试结果表明,随着生长温度的提高,材料中位错密度有所下降,量子阱光致发光强度随之增大。测试结果还表明,在掺In流量较低时,温度较小幅度的改变对量子阱中In组分的影响不大。通过对最终器件的电学特性的测试发现,提升势阱层材料生长温度对LED发光效率产生了积极的影响,器件由于位错而导致的漏电现象也得到一定程度改善。由于温度调整实验中掺In流量较小,所以本文针对性的进行了提升掺In流量实验。通过对实验样品的测试与分析可知,随着掺In流量的增大,量子阱中In组分逐渐增大。掺In流量少量增加时,材料生长质量会有较小幅度改善,但是当掺In流量增大到一定值时,位错密度却大幅度提升。同时发现掺In流量过大还会导致量子阱光致发光强度降低。通过对量子阱能带结构的分析发现,提升掺In流量会增大阱垒层材料间应力,量子斯塔克效应会更加显著。最终器件测试结果表明,提升掺In流量会使器件发光波长增大,发光效率提高。虽然提升掺In流量能够提升器件发光效率,但是发光波长也会增大。因此,针对这个问题本文进行了第三组实验,同时调整生长温度和掺In流量,得到不同材料生长条件下发光波长相同的器件。对器件测试结果的分析表明,势阱层材料生长温度为810℃,掺In流量为基础流量的15%时得到的样品有着较好的材料质量和器件电特性。最终得到的器件在发光波长为363.82nm时,发光功率为43.33mW,比基础程序得到器件的发光效率提升了22.5%,这表明了本文通过提升势阱层材料生长质量来提高紫外LED发光效率是非常有效的。