随着电子电力系统的发展,对半导体电子器件在高温、高压、高频和强辐射环境下的性能也提出了更高的要求。碳化硅材料因其禁带宽度......

提出一种应变Si／SiGe UMOSFET结构，并与Si—UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较；对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电......

功率半导体器件作为电力电子技术的核心部分,其应用推动了电力电子技术的快速发展。击穿电压和比导通电阻作为衡量功率半导体器件......

宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场、高热导率、和高电子饱和漂移速度等优良的物理化学特性,适合制......

碳化硅（SiC）器件由于具有高压、高频、耐高温、抗辐照、高可靠和大功率等优势,被应用于光伏发电、列车牵引设备、舰艇、航空航天等军......

SiC MOSFET在高功率、高速以及高温条件下的应用具有极大的潜能。近几年,随着材料生长以及工艺技术的不断发展,SiC MOSFET得到了快......

U型栅槽结构MOSFET(UMOSFET)作为SiC功率MOSFET的一种重要结构,和VDMOSFET相比,在相同的击穿电压下,该结构具有更小的导通电阻。但......