随着人们对电子产品需求的不断增大,微电子封装正向小型化、高速、高密度和系统化的方向发展,硅通孔封装(Through Silicon Via TSV)技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色。工程应用中,随着工作频率的高频化,电子设备受外界环境影响日益显著,甚至导致电路逻辑故障。为了避免上述情况,在封装电路设计初期,需对电路进行建模分析。特别对于复杂程度大集成度高的系统,对电路建模研究显得尤为重要。本文以一种典型的TSV封装结构为研究对象,建立TSV封装结构等效电路并研究电磁干扰对具有TSV封装结构电路影响。首先,根据一种典型的单根TSV封装结构,提取TSV封装的寄生参数。进而,建立双根TSV封装等效电路模型,将仿真值与实际测量值对比,结果验证了等效电路模型的正确性与有效性,对具有TSV封装结构的电路进一步仿真分析提供了可能。其次,利用电磁场耦合理论,将以平面波形式的电磁干扰等效,得到电磁干扰等效源的解析表达式。将等效源表达式载入ADS中,进而建立以平面波形式的电磁干扰下封装电路的电磁敏感性的等效模型。最后,对具有TSV封装结构的CMOS传输门集成电路进行电磁敏感性分析,仿真结果表明具有TSV结构的电路能减小电磁干扰对其的影响。利用场路结合法得到TSV封装结构的等效电路,为具有TSV封装结构的电路仿真提供了依据,有助于设计者对TSV封装电路的性能有更加快速准确地预测。封装具有保护电路机械特性、抵抗电磁干扰的作用,TSV封装结构对电磁干扰有十分明显的抑制作用。