功率封装中,芯片粘结（DA）层是散热的重要通道,同时也是容易发生封装失效的薄弱位置,容易在温度载荷的作用下使得传热能力发生不可逆转的下降。而熵产最大的特点就是能量损失的不可逆性,因此从熵产角度来分析粘结层的传热质量具有重要的科学价值。本文针对大功率LED的芯片粘结层,从熵产角度提出表征粘结层传热质量的方法。首先进行芯片粘结层影响传热的关键因素分析,提出影响大功率LED传热的粘结层关键因素,其次建立粘结层在传热过程中的熵产数值模型,并通过实验验证,最后将熵产数值模型应用于表征粘结层传热因素与疲劳对传热质量的影响,本文研究的具体内容及主要研究结果概述如下:（1）芯片粘结层影响传热的关键因素分析。基于实际的大功率LED封装结构,构建大功率LED的三维简化模型,分析粘结层空洞、粘结层厚度和材料对结温的影响,结果表明,粘结层空洞、粘结层厚度和材料都是影响大功率LED传热的关键因素。（2）构建芯片粘结层传热过程中的熵产数值模型,并进行实验验证。构建在粘结层传热过程中的熵产数值模型,然后通过预制缺陷样品的制作与检查,以及热传导实验过程中热参数的提取,分别从温度、熵产角度表征粘结层缺陷对传热规律影响,结果表明,熵产不仅可以表征缺陷对粘结层传热规律影响,而且根据熵产的定义,相比于传统使用温度的方法,熵产能够从粘结层对热量传递能力的损失程度来表征传热质量,对于粘结层温度的变化从传热质量角度给出解释,且粘结层熵产越大,说明传热质量越差。（3）熵产数值模型应用于表征粘结层传热因素与疲劳对传热质量的影响。基于粘结层传热过程中的熵产数值模型,建立大功率LED传热的二维热仿真,熵产表征粘结层传热因素与疲劳对传热质量的影响,结果表明,在垂直方向,粘接层缺陷越靠近芯片,传热质量越差,在水平方向,粘接层不同界面缺陷在边角-中心位置使得传热质量最差,且当缺陷在粘接层长度方向占比超过20%,就会使得传热质量显著下降。进一步通过粘接层传热因素组合的正交仿真实验,得出影响粘结层传热质量严重程度的因素依次为粘结层材料、粘结层厚度、粘结层缺陷,且粘结层材料是显著影响因素。而在粘接层加速疲劳中,缺陷占比10%就会使得传热质量显著下降,因此粘接层疲劳会加速传热质量下降。本文提出从熵产角度表征芯片粘结层传热质量的研究方法,不仅可以使得熵产理论应用于功率封装的芯片粘结层传热过程,从热量在粘结层传递状态的优劣来表征传热质量,而且对于提高芯片粘结层的可靠性将提供理论指导。