透明导电氧化物(TCO)薄膜随着显示屏和光伏器件的快速发展,已经发展到第三代,由于它能同时具有很高的可见光到近红外光区的透过性和良好的导电性而得到了广泛的应用。其中,SnO2、CdO和In2O3因其优异的光学和电学性能而受到广泛关注。由SnO2、CdO和In2O3三种材料复合构成的薄膜,可能会获得SnO2薄膜在可见光范围的高透过率和低电阻率、CdO薄膜的高载流子迁移率和近红外范围的高透过率、In2O3薄膜的高电子迁移率和低电阻率的最佳特性。因此,本论文使用磁控溅射技术,制备了 SnO2-CdO复合薄膜和SnO2-CdO-In2O3复合薄膜,系统地研究了复合薄膜的结构特性、光学特性及电学特性。使用射频(RF)磁控溅射技术,制备了 SnO2-CdO原子比为4:1的SnO2-CdO(4:1)薄膜。X射线衍射仪(XRD)分析表明薄膜以Cd2SnO4(011)和SnO2(310)相结晶,并且结晶性能良好,XRD图中可见清晰尖锐的峰,其中Cd2SnO4(011)为主要的结晶方向,薄膜在可见光和近红外范围的最高透过率能达到95%和91%。电阻率随着薄膜结晶质量的降低而下降,最低电阻率为0.133Ω.cm。从SEM图中可以看出薄膜表面由大量圆形小颗粒组成,并且颗粒分布均匀,从SEM截面图估算出薄膜的厚度为332nm。为了研究SnO2-CdO的原子比例对薄膜性能的影响,制备了 SnO2-CdO原子比为1:4的SnO2-CdO(1:4)薄膜,与SnO2-CdO(4:1)薄膜进行了对比。结果显示SnO2-CdO(4:1)薄膜结晶性更好,光学透过性更强。使用射频(RF)和直流(DC)磁控共溅射技术,在性能更好的SnO2-CdO(4:1)薄膜的基础上,制备了Sn2O-CdO-In2O3复合薄膜。XRD测试结果显示薄膜出现了 Cd2SnO4(011),SnO2(310),CdO(101),In2O3(101)和In2O3(440)的衍射峰。随着功率的增加,In2O3(101)和In2O3(440)的衍射峰逐渐加强,薄膜的择优取向发生了改变。Cd2SnO4(011)的衍射峰在功率为45W时消失。SnO2-CdO-In2O3薄膜在可见光和近红外区域具有高度透明性,平均透过率都超过了 80%。电阻率在功率为45W时达到6×10-3Ω.Cm,表明薄膜具有良好的导电性。SEM图像显示薄膜表面由圆形小颗粒聚集堆积成大量不规则多边形团簇,并随着功率的上升,团簇由稀疏到紧密的排布。