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PbZr TiO_3(PZT)作为一种重要的铁电材料,以其优异的压电、介电、铁电、热释电等性能以及能够与半导体技术相兼容的特点,被广泛的应用于微电子学、光电子学和微电子机械系统等领域,是作为铁电存储器、微执行器、压力传感器等器件的理想材料。在大多数情况下,PZT薄膜的结晶取向是任意的,而这不利于PZT薄膜电学性能的最优化。所以如何控制外部条件,以得到能定向生长的PZT薄膜,尤其是如何制备出沿(111)结晶取向的PZT薄膜一直是研究的重点。本文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel法)在室温下成功制备了PZ