酞菁锡（Tin phthalocyanine,SnPc）是一种在近红外区域有良好吸收特性的有机半导体材料,广泛应用于有机太阳能电池的活性层及其它有机光电器件中,但由于其极低的迁移率导致很难被应用到有机场效应晶体管中。本论文主要制备了基于酞菁锡光敏吸收材料的近红外（NIR）有机光敏场效应管（photosensitive organic field-effect transistor,PhOFET）,研究了不同的功能层结构对器件光敏性能的影响,并阐明了高性能有机近红外光敏场效应管的功能层结构设计原则。主要内容分为两部分:在第一部分,首先构筑了功能层为单层酞菁锡的NIR-PhOFET,测试结果表明,单层酞菁锡场效应管的迁移率很低,仅¹0^-6 cm²V^-1s^-1,同时器件表现出很低的光敏性能;通过引入具有高迁移率的并五苯（pentacene）薄膜作为器件的沟道传输层,构筑了功能层结构为pentacene/SnPc的p-p型有机场效应晶体管,器件的场效应迁移率显著提升,光敏性能也大幅增强,在入射光强为48.8μW/cm²的850 nm近红外光照下光响应度达到了1.0×10³ mA/W;制备了了功能层结构为pentacene/SnPc/C₆₀的p-p-n型PhOFET,研究结果表明采用这种结构的器件的暗电流得到了有效抑制,同时由于功能层内形成的SnPc/C₆₀平面异质结提供了受体/给体界面,使得光生激子的离解效率得到了提高,光响应度达到了2.68×10³mA/W,最大光暗电流比高达1.09×10⁴,该器件表现出优异的近红外光敏性能。在第二部分,从提高光生激子离解效率方面入手,主要探究了引入体异质结后的酞菁锡光敏场效应晶体管的光电性能。制备了功能结构为pentacene/SnPc:C₆₀的p-i结构、活性层为pentacene/SnPc:C₆₀/C₆₀的p-i-n结构以及活性层为pentacene/SnPc/SnPc:C₆₀的p-p-i结构的三种不同PhOFET器件,前两种结构的器件由于缺失酞菁锡光敏层,导致器件的光敏性能较差;p-p-i结构的器件的光响应度达到了1.89×10³ mA/W、最大光暗电流比为5.93×10³。