由于SmCo薄膜具有非常好的磁性，使其在高密度磁存储器和微机电系统（MEMS）上具有重要的应用前景。本文采用直流电沉积方法，从水溶液中制备了Co及SmCo合金薄膜。其具体的工作如下： 1.采用直流恒压电沉积法制备了Co单质薄膜。通过扫描电镜（SEM）对所制备的Co薄膜进行了形貌观测。观测表明，沉积膜表面上的颗粒大小基本均一，颗粒的直径约为200～300nm；由X射线衍射仪（XRD）检测Co沉积膜的结构，结果表明，沉积膜具有六方晶体结构。 2.采用直流恒压电沉积法制备了Sm-Co合金薄膜。 通过能谱分析仪（EDS）检测了沉积膜的成份，检测结果表明：在镀液中没有甘氨酸的情况下，沉积膜沉积膜中只有Co的成份；而有甘氨酸存在的情况下，沉积膜中含有Sm、Co的成份，说明，要使Sm离子在Co离子的诱导下发生了共沉积，必须要有甘氨酸的存在。而且，沉积膜中的成份会随电压的变化而发生变化，实验结果表明，当电压较低的时候，随着电压的升高，沉积膜中Sm的含量增加，但是当电压达到某一值时，沉积膜中Sm的含量，随着电压的升高反而会下降。 利用X射线衍射仪（XRD）检测了热处理前后沉积膜的结构。结果表明：沉积膜为非晶态结构，经过热处理后，沉积膜出现了Sm2Co7的六方晶相结构。 通过通过扫描电镜（SEM）观察了Cu片基底和磁控溅射Cu基底的表面形貌，观察的结果表明：在Cu片上所制备的薄膜和在磁控溅射Cu基底上制备的薄膜在形貌上有很大的不同，这说明，基底对沉积膜的表面形貌是有影响的。另外，我们还利用SEM观察了不同电压下Cu基底上沉积膜的表面形貌，观察结果表明：随着电压的升高，沉积膜的表面质量逐渐变好，但是当电压升高到一定值时，随着电压的增加，沉积膜的表面质量又变的差了。