Mn掺杂PZT与P(VDF-TrFE)复合膜热释电器件

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基于陶瓷/聚合物的复合材料厚膜是当前热释电材料研究的热点之一。它热释电系数高、介电性能优良、且柔韧性好、机械强度高,可以任意的弯曲折叠;并且制备工艺简单,成本低廉,制备温度低,能够很好的兼容读出电路(ROIC),无论是在单元热释电器件还是在多元热释电器件领域里,它都有很好的应用前景。研究者对PZT/P(VDF-TrFE)复合材料进行了许多研究,由于PZT/P(VDF-TrFE)复合材料性能的限制,基于PZT/P(VDF-TrFE)的多元器件发展一直很缓慢。本文中采用Mn掺杂PZT与P(VDF-TrFE)制备复合膜,使得复合材料的性能大大提高。通过控制Mn掺杂PZT陶瓷与P(VDF-TrFE)聚合物的质量比制备复合厚膜,研究PZTM与P(VDF-TrFE)的质量比对复合膜热释电系数、介电常数、损耗角正切、体积比热等参数的影响,并通过这些参数计算复合厚膜的探测优质FD,以及测定不同质量比的复合膜的红外吸收性能,从而研究PZTM与P(VDF-Tr FE)的质量比对器件性能的影响。本文还以单元器件为基础,设计了基于复合膜的多元器件及其读出电路,并且制作了、测试了相应实际电路。1文中采用Mn掺杂PZT为陶瓷相,以P(VDF-TrFE)为基质,以流延法制备了复合厚膜,采用Ni、Cr合金为靶材为厚膜制备电极,并采用金属极板夹持法极化厚膜。2通过控制复合材料中PZTM与P(VDF-Tr FE)的质量比,制备了四种陶瓷相与基质不同质量比的厚膜、敏感元;随着复合膜中陶瓷相的增加,陶瓷相与基质的接触面积增大,从而导致复合膜中孔隙增加。文中测试了各样品的热释电系数、介电常数、损耗角正切以及体积比热;研究了Mn掺杂PZT与P(VDF-Tr FE)的质量比对复合材料性能的影响。并通过这些参数计算了探测优值以及测定了各样品厚膜的红外吸收能力,研究了Mn掺杂PZT与P(VDF-TrFE)的质量比对探测器性能的影响。通过实验数据比较得到了最佳质量配比为PZTM:P(VDF-TrFE)=0.7:1。3对单元探测器电路进行改进,删除了电路中的大电阻Rg,删除电阻Rg后,器件的上电时间会有所增加,但输出信号稳定后信号波形较好。并在器件信号输出端串联滤波电容以滤除信号中的直流分量。4以单元器件为基础,制备多元热释电红外探测器。利用复合材料柔韧性强可任意弯曲的特点,采用黏贴法将复合膜敏感元与PCB板形成电气连接。器件绝热结构采用衬底掏空式结构;由于PCB板焊盘及银浆的支撑而形成绝热结构5采用晶体管的开关特性,设计了单元选读电路;选读电路主要包括开关模块和跟随模块,开关模块的主体是开关管,跟随模块的跟随管隔绝了开关模块与敏感元之间的连接,使得开关管的切换不会影响到敏感元的正常工作;并用Multisim仿真软件对单元选读电路进行了仿真,验证了其可行性。随后拓展了单元选读电路,对两路选读电路进行了仿真,得到了两路分时读出的正弦信号;文章中还以微控制器设计并制作了控制电路,该控制电路能够产生控制选读电路开断的信号。最后将器件与控制电路,选读电路连接,并用电性能测试平台测试了其电性能,得到了分时输出的两路正弦信号。
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