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该论文对SOI（Silicon on Insulator）应变SiGe沟道BiCMOS器件及应用电路进行了模拟和实验研究.SOI部分耗尽MOSFET相对于体硅MOSFET而言,具有许多优点：源漏结寄生电容小、工作速度快、功耗低、短沟道特性好、工艺简单、消除了CMOS电路中的闩锁效应.将SOI器件的衬底与栅极短接并加以合适的电压能够构成双极-MOS混合模式晶体管（BMHMT）,衬底电位的提高降低了器件的阈值电压,横向寄生晶体管（LBJT）的导通引入了电流放大作用,从而进一步提高了器件的工作速度和驱动能力.在SiGe沟道p-MOSFET中,因为应变SiGe层中载流子的迁移率较高,并且由于应变SiGe合金的禁带宽度小于Si的禁带宽度,在SiGe层中将形成空穴陷阱,使得载流子受限于SiGe层中从而具有较高的迁移率.另外Si覆盖层的存在使得SiGe层中的载流子免受Si/SiO<,2>界面的散射,所以SiGe沟道p-MOSFET的驱动能力比相应的体硅器件高.将以上三种技术相结合构成了SOI应变SiGe沟道BMHMT,进而构成SOI应变SiGe沟道BiCMOS,它具有很好的电学特性,这在我们的模拟和实验研究中都得到了证实.