平带系统经常会展现出许多令人着迷的物理特性,例如:超导电性,强关联电子态等,因此,在费米能级E_F附近具有平带的材料引起了物理学家的广泛关注。到目前为止人们已经在很多材料中发现了E_F附近的平带,如:高温超导铜氧化物,重费米子材料,魔角双层石墨烯等。此外,理论计算表明拓扑绝缘体中也可能具有平带,从而在电子态密度上产生一种新型的范霍夫奇点。然而,要想在光谱实验上观测到这些可能的平带之间的电子跃迁,要求拓扑绝缘体的E_F在体态的带隙内,即真正体绝缘的拓扑绝缘体。最近几年Cava科研小组合成了高质量的拓扑绝缘体:轻度Sn掺杂的Bi_1.1Sb_0.9Te₂S,这是目前发现的体电阻最高的拓扑绝缘体,并且E_F在体态的带隙内。该材料为我们利用光谱手段研究拓扑绝缘体中的平带提供了极佳的平台。我们使用布鲁克公司生产的Vertex 80V傅立叶变换光谱仪结合原位镀金技术,在非常宽的频率范围30-50000 cm^-1和16个不同温度下测量了Sn-Bi_1.1Sb_0.9Te₂S的绝对反射率,并获得了光电导谱。在低频范围未观测到Drude响应,证实了该材料非常好的体绝缘性质。此外,我们在5 K的反射谱上观察到在大约2400 cm^-1出现一个台阶特征,该特征在光电导谱上表现为一个尖峰,符合范霍夫奇点的光学特点。进一步对这个尖峰的线形和温度依赖的定量分析,结合第一性原理计算,我们证明它是由墨西哥帽形状的反带导致的新型范霍夫奇点。拓扑绝缘体中这种新型的范霍夫奇点为理解其中诱导出的新颖量子态以及寻找拓扑超导体提供新的思路,值得我们更加深入的去研究。