双端口SRAM存储器在流水线与多指令发射等技术中的应用越来越广泛,是提高吞吐率的有效手段之一。由于航空航天环境的独特性,高可靠的抗辐射存储器设计需求增加,版图自动生成方式可有效提高存储器的开发效率。本文以双端口SRAM为研究对象,针对DICE结构存储器及版图自动生成方法展开研究。本文通过深入分析双端口SRAM的工作原理,采用SMIC 0.18μm工艺对存储器的电路和版图进行抗辐射加固。根据双端口SRAM的结构与特性,确定其功能和时序规范,并规划适应可变规格的SRAM存储器架构方案。针对SEU效应,设计16T DICE单元进行电路级加固,通过辐射模拟验证加固效果。采用分级译码、锁存器型电压灵敏放大器等实现外围电路,并对常见的32?32 bit完整双端口SRAM存储器进行电路仿真,分析其功能与性能。针对SEL和TID效应,采用增加隔离环、拉大NMOS与PMOS管的物理距离的版图级加固方法,对双端口SRAM存储器的各部分电路进行物理版图设计与实现。本文对可变规格双端口SRAM存储器的GDS版图文件的自动生成展开研究。通过分析不同参数的双端口SRAM版图特征,总结其电路连接和物理连接之间的关系,划分层次结构,确定版图布局,整理出版图基本单元库。借助Python API中继承和派生的类批量管理基本单元,结合版图操作函数与生成函数生成宏模块与完整存储器的参数化版图。双端口SRAM存储器的最高工作频率为100MHz,容量范围是32bit-16KByte;参数包括字线深度,其范围是16bit-4Kbit;位线宽度,其范围是2bit-32bit;多路选择器宽度,其可选值是4、8、16。最后选取具有代表性结构和布局的SRAM存储器,自动生成其参数化版图,通过版图验证和后仿真确保设计正确。