透明导电氧化物(TCO)薄膜是硅基薄膜太阳电池（包括非晶硅电池和微晶硅电池，非晶硅/微晶硅叠层电池）的重要组成部分，其在光学波长范围320-1100nm应有较高的透过率。然而，常规的Al掺杂ZnO(AZO)或者Ga掺杂ZnO(GZO)很难平衡近紫外(300nm左右)和近红外（1100nm左右）区域的透过率。理想的TCO应该通过展宽带隙并改善近紫外透过率，同时能够保持近红外区域较高的透过率，并且具有良好的电学性能。Mg和Ga共掺杂ZnO(MGZO)薄膜期望能够在调制电学的基础上有效地展宽光学带隙，从而更好地应用于硅基薄膜太阳电池。本论文利用直流脉冲磁控溅射技术并借助引入氢气，在超白玻璃衬底生长Mg和Ga共掺杂型ZnO薄膜(HMGZO)，溅射靶材为陶瓷靶。主要研究内容及结果如下:　　首先，通过Mg掺杂展宽带隙，并且改善薄膜的在近紫外和近红外区域的透过率。此外，利用Ga和H作为施主改善薄膜的电学性能，期望薄膜在Mg、Ga和H的共同作用下获得宽光谱并且具有优良电学性能的HMGZO薄膜。系统地研究了氢气流量、衬底温度、Mg掺杂量等重要因素对薄膜性能的影响。优化获得的HMGZO薄膜:电阻率～1.22×10-3Ωcm，方块电阻～8.88Ω/sq，载流子浓度～2.1×1020cm-3，电子迁移率～24.3cm2V-1s-1，350-1100nm波长范围内平均透过率达81.5％。　　其次，基于对TCO玻璃衬底和硅基薄膜太阳电池沉积环境兼容性的考虑，对HMGZO薄膜在适当高温下的光电稳定性做了退火处理研究。室温下及在高温下沉积的HMGZO薄膜经过真空退火，其光电性能并未出现明显衰退，表明其能够很好地适用于硅基薄膜太阳电池生长。此外，TCO薄膜应用到薄膜太阳电池中时，陷光特性尤其重要。我们对溅射后腐蚀时间对HMGZO薄膜形貌及陷光性能的影响做了实验研究，实验结果表明在体积百分比为0.1％的盐酸中腐蚀20s处理或获得了相对较好的光散射特性。　　最后，将经过优化获得具有适当光电性能及陷光特性的HMGZO薄膜分别应用于非晶硅及微晶硅薄膜太阳电池。非晶硅薄膜太阳电池转换效率达8.2％，而微晶硅电池转换效率为6.78％。