金属氧化物半导体材料（MOS）因具有优良的光响应性能而广泛应用于光催化、光电导、光气敏等领域。研究MOS在气氛下光生电荷的产生、复合、输运对研究光催化、光激发气敏具有重要的意义。但传统的MOS光电导的研究主要在特定波长进行的，得到的信息有限；在气氛下的光谱研究也不多。我们提出了光电流谱的测试方法，可以研究材料在不同环境下的光响应，采用这种原位检测的方式来研究材料的缺陷、光生电荷分离与光响应机理。基于高通量表征的指导思想，我们开发了光电性能综合测试平台。平台可以测试材料的光电流、光电流谱与伏安特性，能够在不同的扫描速度、环境气氛下进行测试，可以同时对16个材料点进行测试，提高了测试效率。测试器件选取材料芯片与FTO器件这两种器件形式。平台的重复性测试表明平台具有较好的稳定性。本文研究了烧结工艺对ZnO的光电流谱的影响。研究表明550烧结的ZnO在380nm处光电流最高，在真空烧结的ZnO比空气烧结的ZnO的主峰更高、下降更快，这些都与材料的形貌和VO缺陷的形成有关。用滴注氯化物的工艺敏化ZnO后通过扫描电子显微镜(SEM)发现Al2O3(SnO2)以小颗粒的形式存在于ZnO颗粒表面，在光电流谱上观察到了480nm处的肩峰，我们认为了这与烧结时引入的VZn有关，并提出了一个模型来解释；在甲醛气氛下，480nm处的肩峰都变的更加明显，此时甲醛充当放大器，将VZn对光电流的贡献给放大了。本文用溶胶-凝胶的方法制备了分别掺杂Al与Sn的ZnO并以材料芯片与FTO器件两种器件形式进行光电流谱测试。SEM表征发现掺杂后在材料芯片上的ZnO表面得到了不同的纳米结构。通过光电流谱测试发现掺Sn的ZnO在380nm处光电流最大，这与掺杂引起的形貌、缺陷的变化有关。FTO器件与材料芯片上的测试结果具有很好的一致性。