在无线通信收发机系统中，射频开关和低噪声放大器是其关键模块。射频开关几乎可用于所有无线应用，起到切换的作用，其插入损耗、隔离度、功率容量等指标制约着整个系统的性能。低噪声放大器通常作为接收信号通路的第一级，其性能的好坏直接影响着整个接收机的噪声系数、灵敏度等指标。　　 对于射频开关，本文设计了一高隔离度吸收式单刀双掷射频开关，可用于便携手机和无线局域网的发射/接收切换，特别适合应用在基站等频率综合器隔离度至关重要的场合。对于低噪声放大器，本文针对无线通信系统特别是智能移动设备中存在多种无线电信号干扰，为提高接收机动态范围，设计了一工作在1575MHz的高线性度低噪声放大器。　　 本文基于稳懋(WIN)0.5um GaAs pHEMT工艺，采用两级串并结构，进行模块化设计，考虑了封装对芯片性能的影响，对封装进行了准确的建模、仿真、分析，实现了芯片封装一体化设计。该开关采用8引脚微型小外形封装(MSOP8)进行封装，测试结果表明在100M到4GHz频段插入损耗低于1.5dB，隔离度高于42dB。基于SiGe BiCMOS工艺设计的高线性度低噪声放大器，具有使能控制和Bypass旁路功能，采用post-distortion结构提高线性度，以较小的功耗增加和增益、噪声恶化换取了较高的线性度提升。后仿结果显示该低噪声放大器增益18dB，噪声系数0.8dB，带内三阶交调点-2dBm，带外三阶交调点4.2dBm，功耗11.5mW。