二维层状晶体在有机场效应晶体管中的应用

来源 :中国科学院研究生院 中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baby3911
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二维层状晶体由于在垂直高度上很小,有时甚至可忽略不计,其成本理论上可以做到很低,近几年来引起了科学界的广泛关注。   二维层状单晶中的石墨烯具有良好的导电性,理论上有很高的迁移率,是硅电路最有希望的替代者。二维层状单晶中的云母,具有良好的绝缘性,具有特殊的离子层状堆积结构,已经在实际生活中得到了广泛的应用,这里我们主要针对这两种二维层状晶体在有机场效应器件中的应用,开展了以下研究:   1.通过AFM刻蚀的方法,对氧化石墨烯和石墨烯进行了图案化,可以将精确度控制在纳米级别。获得了石墨烯的窄带,方块阵列和一些特殊的结构。利用刻蚀得到的石墨烯纳米间隙电极对,我们构筑了酞菁铜场效应器件,器件表现出典型的P型特性和光响应特性,从而论证了用AFM刻蚀法所制备的纳米间隙电极对的有效性、品质和未来进一步的应用可能性。   2.利用机械剥离的方法,获得了大面积超薄的云母层状单晶并制备了场效应管的衬底。这种衬底柔韧性好,价格低廉,制备简单,表面清洁,非常适合用于有机场效应晶体管的构筑。获得的大面积云母可以达到A4纸大小,有些薄的如100 nm的也可以达到0.5 cm×0.5 cm。用酞菁铜作为有机半导体,制备了3种结构的器件,均表现出典型的P型场效应特性,其中单晶器件的迁移率高达0.4 cm2V-1s-1。   3.用云母二维晶体制备了有机场效应晶体管的绝缘层,并将其用作驻极体,构筑了有机存储型器件,在此基础上我们对电荷传输机制作了一些探讨。我们发现,这种类型的存储器件拥有一个非常特殊的传输机制,过程有点像固体电泳,跟以前报道的有机场效应晶体管类型的存储器件有很大的差别,这些发现提供了一种研究驻极体材料的新模型,也打开了研究另一种非常特殊而有潜力的二维单晶云母的大门。
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