【摘 要】
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该论文介绍了MgB的重要超导特性和提供了研制MgB超导薄膜的有价值的新方法.该论文创建了一种新的制作MgB超导薄膜实用技术,化学气相沉积两步法异位退火法合成MgB超导薄膜,采
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该论文介绍了MgB<,2>的重要超导特性和提供了研制MgB<,2>超导薄膜的有价值的新方法.该论文创建了一种新的制作MgB<,2>超导薄膜实用技术,化学气相沉积两步法异位退火法合成MgB<,2>超导薄膜,采用这种新方法制备MgB<,2>超导薄膜的基本过程为：先以B<,2>H<,6>为B源在衬底上化学气相沉积先驱B薄膜;然后先驱B薄膜在Mg蒸气中高温退火形成MgB<,2>超导薄膜.这种新方法成功地在Al<,2>O<,3>多晶和单晶衬底上制备了MgB<,2>超导薄膜.在多晶Al<,2>O<,3>衬底上制备的典型MgB2超导薄膜,起始转变温度Tcon～35K,零电阻温度Tco～24K.在优化条件下制备在单晶Al<,2>O<,3>衬底上的MgB<,2>超导薄膜,起始转变温度和零电阻温度分别为Tcon～39K和Tco～37K,残余电阻比率RRR～1.8,正常态电阻呈现金属行为;根据扫描电子显微镜观察和X射线衍射分析,薄膜表面光滑平整,晶形完整;晶粒取向垂直于衬底表面沿c轴方向排列.化学气相沉积两步异位退火制备MgB<,2>超导薄膜这种新方法的特点是,容易制备大面积MgB<,2>超导薄膜,并且化学气相沉积方法与现有的半导体工艺技术相兼容,有利用实现MgB<,2>超导薄膜在电子器件领域的应用.
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