Ⅲ族氮化物半导体多量子阱圆盘形光学微腔的研究

来源 :北京大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:R845451732
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
圆盘形光学微腔(微盘)是一类典型的微型光学谐振器-光学微腔,它以圆形对称谐振 腔为基础,利用光的全反射而自然形成腔镜面,结构简单但具有比法布里-珀罗(F-P)型微腔复杂得多的光学模式.Ⅲ族氮化物是宽禁带半导体化合物,是制备短波长发光 器件极有潜力的新型材料系.该论文以直径为3~10μm的Ⅲ族氮化物半导体多量子阱(MQW)结构GaN/Al(,00.7)Ga(,0.93)N,In(,0.15)Ga(,0.85)N/GaN和In(,0.22)Ga(,0.78)N/In(0.06)Ga(,0.94)N的圆盘形光学微腔为主要研究对象,利用10-300KH皮秒时间分辨光致发光(PL)系统、显微荧图像分析系统和扫描近场光学显微镜对其自发发射性质 及模式的光谱特性和空间分布进行了系统的研究.发展了精细的微腔电子束曝光套刻 技术,对带有微结构的氮化物微盘进行了初步探讨.据作者所知,这是迄今为止报道 的波长最短的半导体光学微盘.
其他文献
近年来,随着科学技术的快速发展,人们对信息存储技术的要求越来越高。寻找到一种具有高存储密度、高读写速度、非易失性和低能耗的新型信息存储器是当前信息存储技术研究的目标
半导体中的缺陷在很大程度上决定了半导体器件的电学和光学特性.器件的失效通常是与材料表面和界面存在的缺陷密切相关的.因此,鉴别和表征半导体中的缺陷及其对材料和器件性
该文综述了两种被认为能有效计算重介子到轻介子强子矩元的唯象方法:QCD求和规 则和光锥QCD求和规则.其中,近十几年发展起来的光锥QCD求和规则更适合于处理重到轻介 举子衰变
拓扑绝缘体是一种体相绝缘,表面态为无带隙金属态的特殊材料。线性色散关系的表面态受着时间反演对称性的保护,表面态上的狄拉克费米子自旋方向和动量方向相互锁定,因此来自于非
全国人民盼望已久的十六大胜利召开了。这次大会是进入新世纪我党召开的第一次全国代表大会。大会全面回顾和总结了改革开放以来,特别是党的十三届四中全会以来,我国在建设有中
我国加入WTO,企业面临国际国内双重市场竞争的压力,竞争的层次更高,决策的责任更大。党委会不断提高工作质量,提高党要管党的能力,保证重大问题科学决策,才能在企业充分发挥
作为核物理的前沿领域,原子核高自旋态的研究为人们理解高激发态时的核结构、核形状,核子耦合特性提供了非常有价值的信息.该论文工作的目的是研究Ce高自旋态的结构特性,寻找
到目前为止,现代的大爆炸宇宙学认为早期宇宙的演化是一个不断相变的过程。强相互作用物质的性质及相变的研究是人们探索早期宇宙中强相互作用物质随时间演化的重要方面。粒子
该首先给出了一个基于混合连续高斯概率密度函数的HMM不认人连续识别基线系统.通过总结以往研究工作的经验,结合汉语语音学的知识,该文提出了将易误识的短声母和浊声母根据其