Ⅲ族氮化物相关论文
二维二硫化钨由于具有较高的激子结合能、可调的光学带隙、高的载流子迁移率和较强的自旋轨道耦合等优点,在光电子器件和逻辑电子......
Ⅲ族氮化物紫外发光二极管（Ultraviolet Light-Emitting Diode,UV LED）在杀菌消毒、医疗、气体传感和聚合物固化等领域具有广阔的应......
氮化物发光二极管（Light emitting diodes,.LED）在21世纪初取得了重大的突破,在通用照明领域取得了广泛应用,并逐渐取代白炽灯和日光......
目前信息的光和磁光记录与读出系统是非常重要的产品，它占高速增长的半导体激光市场的五分之一（2000年为60亿美元，增长率为108%）。这部......
发光二极管(Light Emitting Diodes,LEDs)具有体积小、能耗低、坚固耐用、高效环保等诸多优点,其主要制作材料为Ⅲ族氮化物。目前......
Ⅲ族氮化物材料（Al N、Ga N、In N）具有载流子寿命长,良好的化学和热稳定性等优点,是目前唯一已知的宽禁带、直接带隙且波长连续可调......
Ⅲ族氮化物的二维纳米材料因其独特的电子结构、良好的稳定性和优良的光电性能,在通讯、能源、半导体器件、光电子等领域展现出巨......
以Ⅲ族氮化物为研究对象的固体发光技术，带动了与之密切相关的蓝光、绿光和发光二极管（Light-emitting Diode，LED）照明与紫外探测器......
具有较宽带隙的Ⅲ族氮化物是制备蓝光到紫外光波段发光器件的理想材料,近十多年来成为人们研究的热点.具体来说,Ⅲ族氮化物包括AlN......
Ⅲ族氮化物具有宽的直接带隙，是非常重要的半导体材料，在制备电子和光电子器件领域具有广泛的重要应用。Ⅲ族氮化物微纳米材料的的合......
随着传统能源的枯竭和环境问题的恶化，作为可再生能源的太阳能已经在近几年取得了突飞猛进的发展，太阳能光伏发电等新型可再生能源将......
Ⅲ族氮化物以其具有宽广直接带隙的突出特点,成为开发短波长、高速度光电子器件最重要的半导体材料之一。随着氮化物技术口益成熟,......
激光在如今的LED革命中正变得越来越重要,成为提高LED的发光效率和降低制造成本的必要工具。准分子激光器提供了独特的大面积均匀......
研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN(i AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在......
Ⅲ族氮化物在光显示、光照明等光电子器件领域有广阔的应用前景,在光显示和光照明方面,用高效率蓝绿光发光二极管制作的超大屏幕全......
Ⅲ族氮化物已经发展了众多原子间相互作用势,但这些原子间相互作用势的适用范围或多或少都有一定的局限性.本文介绍了氮化物原子间......
采用光荧光和阴极荧光方法 ,对 Ga N外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析 ;同时 ,采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延......
利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石......
利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法,详细研究了Ⅲ-氮化物的速-场特性和低场迁移率特性,数值计算了掺杂浓度和晶格温度对Ⅲ-氮化物输......
用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测......
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物属于宽禁带半导体,即通常所谓"第三代"半导体材料。作为Si、Ge以及传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之后......
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）及其合金在双轴应变下的电子有......
随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对......
MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一.镓源的选择是该技术中重要的一环.详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生......
Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点.由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,......
讨论了Ⅲ族氮化物HFET中电流崩塌和沟道内二维电子气特性间的关联,提出了描述产生电流崩塌时电子动态运动的微观模型.栅延迟电流崩......
随着军事和民用对高集成度、多色化光电探测的不断需求,在近几十年内,紫外-红外（UV-IR）双色集成探测器从无到有,从彼此独立的紫外和......
以碳化硅（SiC）和Ⅲ族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好......
研究半导体材料中的基本科学问题,为提升材料和器件性能提供理论指导和实验依据,推动实现基于半导体材料的能源相关器件的大规模应......
1Ⅲ族氮化物半导体的研究意义关于Ⅲ族氮化物的研究并不是最近才开始的.由于晶体生长工艺的改进,Ⅲ族氮化物的研究才有了长足的发......
Ⅲ族氮化物材料其带隙可从0.7eV到46.2eV连续可调的特性,加之直接带隙对于光电应用的优越性,使其能够成为发展近红外-可见光-紫外......
Ⅲ族氮化物半导体材料中的AlN、GaN、InN以及它们的三元或者四元合金化合物均为直接带隙材料,并且可以通过调节组分使其合金化合物......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙,导带能谷间距大,强场输运特性好.AlGaN/GaN异质结产生高密度的二维电子气,屏蔽了杂质和缺......
伴随着紫外辐照在国防、科学研究和民用领域的广泛应用,半导体紫外探测技术也随之快速发展。以Ⅲ族氮化物和碳化硅为代表的宽禁带......
随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台。综述重点归纳了以BN......
Ⅲ族氮化物半导体,包括AlN, GaN和InN及它们所组成的三元化合物AlGaN, InAIN, InGaN和四元化合物InAlGaN,因为其禁带宽度覆盖了紫......
“每个原子均至关重要”的团簇科学已经成为物理、化学、环境、材料学、和生命科学等交叉领域的研究热点之一。这不仅是因为处于纳......
Ⅲ族氮化物材料具有耐高温、抗辐射、击穿电场强、电子迁移率高等物理特性,并且禁带宽度覆盖了近红外到紫外的光谱范围,已经被成功......
Ⅲ族氮化物具有优异的光学与电学性质,现已经广泛应用于发光二极管(LEDs)、激光器、光电探测器和大功率电子器件中。通常金属极性......
以Ⅲ族氮化物为研究对象的固体发光技术，带动了与之密切相关的蓝光、绿光和发光二极管（Light-emitting Diode，LED）照明与紫外探测器的......
AlGaN基紫外发光二极管(UV-LED)在水质净化、医疗、计算机存储、生物探测科学等领域有着非常广泛的应用前景。近年来由于Ⅲ族氮化......
近年来,氮化镓(GaN)和相关材料已经实现了许多应用,例如发光二极管(LED)、蓝光/紫外光半导体激光器、大功率电子器件和太阳能电池......
Ⅲ族氮化物属于直接带隙半导体,具有高电子迁移率、热导率和高化学稳定性等优点,被广泛应用在光学器件、高频器件以及大功率器件等......
由于Ⅲ族氮化物材料及异质结构具有很强的自发极化和压电极化,可以产生很强的内建电场,即使在不掺杂的情况下,AlGaN/GaN等异质结构......
Ⅲ族氮化物半导体材料的禁带宽度可从0.7eV到6.2eV连续变化,覆盖了从近红外到紫外波段光谱范围,同时基于其优良的光电及化学性质,......
通过调节Al组分可以利用AlGaN材料实现日盲紫外的探测,同时,Ⅲ族氮化物更是为紫外-红外双色集成探测器的实现提供了可能性。GaN/Al......
