【摘 要】
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Ⅲ族氮化物是重要的第三代半导体材料，其一维纳米结构是构建新型纳米光电器件的物质基础，因此，Ⅲ族氮化物—维纳米结构的合成、表征、性能、器件研究及应用已经成为当今纳米科技
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Ⅲ族氮化物是重要的第三代半导体材料，其一维纳米结构是构建新型纳米光电器件的物质基础，因此，Ⅲ族氮化物—维纳米结构的合成、表征、性能、器件研究及应用已经成为当今纳米科技领域的重要前沿研究内容。本论文在GaN、AlN、AIGaN—维纳米结构的制备、结构及性能研究方面开展工作，主要进展如下：
1．发展了氯化物辅助气相外延合成三角形截面GaN纳米线的新方法，采用多种现代分析手段详细表征了产物的结构和光学性能，合理地探讨了该新方法的生长机制。
2．采用化学气相沉积法，通过模板限域作用制备了AlGaN纳米线准定向阵列。Ⅲ族氮化物—维纳米结构的合成至今仍限于二元组分体系，三元体系的成分调变范围宽，有利于实现对材料性能的剪裁。因此，AlGaN等三元体系—维纳米结构的合成对于后续性能研究有重要作用。
3．A1N—维纳米材料是新近发现的很有前途的光电发射材料，其高温环境下的化学及热力学性质对于其实际应用有重要影响。本文研究了A1N纳米线的抗氧化性能，通过高温氧化得到了结构新颖、稳定的多孔氧化铝纳米线结构，该多孔结构提高了纳米线的比表面积，有利于负载催化剂，有望在吸附、选择性催化方面得到应用。还考察了不同氧化温度和时间等条件下的实验规律，初步探讨了A1N纳米线的氧化机制。
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