ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带（3.37eV）化合物半导体材料。具有较高的激子束缚能（室温下为60meV）和光增益系数320cm-1,是一种理想的短波长光电器件材料,在蓝紫光发光二极管（LEDs）和激光器（LDs）等领域有巨大的应用潜力。然而,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,首先必须获得性能良好的n型和p型ZnO。通过掺入Al、Ga等元素可得到性能优异的n-ZnO,但是,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级以及施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。近年来,人们普遍认为N是实现ZnO薄膜p型掺杂最理想的受主元素,但由于氮的活性较差,与锌难于成键,并且N与N之间的排斥作用较强,导致无法实现较高浓度的掺杂。理论计算预测,通过与施主元素（Ga、Al、In）共掺杂可以进一步提高N的固溶度,因此,共掺杂技术已成为目前获得p型掺杂的主要途径。基于共掺有望制备出高载流子浓度和低电阻率的p-ZnO。本文在实验室原有p-ZnO掺杂的基础上,首次采用掺杂比例易控且操作简单的ZnO:In2O3混合粉末作为靶材,利用制膜技术成熟的射频磁控溅射法制备ZnO:In薄膜,继而通过对样品进行二次N离子注入,最后经退火处理,成功获得性能优异的N-In共掺的p-ZnO薄膜。本文借助XRD和SEM分别对样品的结晶质量和表面形貌进行检测分析,表明所有样品均具有良好的c轴择优取向,其中结晶质量最佳的样品对应的p型性能最优,发现退火时间对薄膜表面形貌有较大影响,退火时间过长会使薄膜发生重结晶,表面变得粗糙;利用X光电子能谱（XPS）分析N-In共掺ZnO薄膜中元素的化学键态。结果显示在p型ZnO薄膜内存在N-In键和N-Zn键,表明In掺杂可以促进N在ZnO薄膜中的固溶,有利于N元素在ZnO薄膜内形成受主能级;利用Ecopia HMS-3000型霍尔测试仪（Hall）分析了共掺ZnO薄膜的电学特性,研究认为退火工艺对ZnO薄膜的电学性能尤其是p型转变有重要影响,结果表明700°C退火45min时,薄膜具有最佳的p型导电性能,其载流子浓度高达4.04×1018cm-3 ,迁移率和电阻率分别为1.35cm2V-1s-1和1.15?cm。另外,发现共掺所得薄膜的载流子浓度较N掺杂高了两个数量级,并且电阻率也得到明显降低;对共掺薄膜进行紫外光透射谱分析,发现所制备的样品在可见光范围内有很高的透射率,最高可达90%。其常温下的禁带宽度为3.2 eV,相对本征ZnO的禁带宽度略有减小。最后,在实现性能稳定且可控的p型ZnO薄膜基础上制备出p-ZnO（In,N）/n-ZnO:In同质p-n结,以In-Ga合金作为接触电极,测试ZnO同质结的I-V曲线,表现出明显的整流特性,其正向开启电压在2.2V左右,反向击穿电压在4.9V左右。