随着通信技术的迅猛发展，射频无线通信和光纤通信成为当前研究的热点，各国在这两个领域里的竞争也越来越激烈。开发射频无线通信和光纤通信系统的芯片具有广阔的市场潜力和应用前景。压控振荡器(VCO)是通信系统的关键部件。目前，射频芯片和高速光纤通信芯片绝大多数都是采用的高速双极性硅工艺和砷化钾工艺。随着CMOS工艺向亚微米、深亚微米的发展，已经可能用先进的CMOS工艺来设计高频高速电路。鉴于CMOS工艺的成熟度、获得生产线支持的容易程度和价格的低廉，我们采用0.35 μm CMOS工艺设计出了2.5 Gb／s SDH系统用的中心频率为2.5 GHz的VCO和用于射频通信系统的中心频率为900 MHz的VCO。 本文简要介绍了压控振荡器的基本原理和电路拓扑结构。相位噪声是压控振荡器的重要指标，到目前为止，还没有关于相位噪声的完整理论。本文用一个章节讨论了相位噪声的定义和形成机理，并结合这些理论给出了设计时优化相位噪声的指导以及相位噪声与其他因素的折中考虑。最后给出了两个VCO芯片的完整的模拟结果、版图设计和测试结果，并对测试结果进行了分析。测试结果表明，本次设计的VCO最高振荡频率可达2.8 GHz以上，直流功耗约为27mW，相位噪声约为-80dBc／Hz＠lMHz，灵敏度超过lGHz／V。