本论文工作采用“低能离子注入+高能重离子辐照”实验方法，通过建立注碳二氧化硅(SiO2)中结构变化和新结构形成与高能重离子辐照参数的关系，比较系统地研究了注碳SiO2中高能重离子辐照效应，并对辐照效应产生机理进行了初步探讨。　　 实验中，先将120keV的C离子注入SiO2样品，再用Xe、Pb、U等多种高能重离子辐照，然后用FTIR、Raman谱和TEM等分析技术对样品进行表征。　　 实验结果表明，岛能离子辐照注碳非晶SiO2在注碳区肜成管状径迹，在高能离子引起的离子径迹及其附近区域形成了SiC、碳团簇、SiOC结构和CO/CO2分子并观察到了局域纳米晶化现象，形成的SiOC和SiC具有链式和笼式结构。新结构的形成与碳离子注入剂量、高能离子辐照剂量、电子能损以及总沉积能量密度有关，并存在相应的阀值。根据实验结果并结合热峰模型，本文作者认为高能重离子辐照可能在注碳SiO2中引起了一系列化学反应，其驱动力来自于强电子激发引起的热峰过程。研究结果还表明，“低能离子注入+高能重离子辐照”足合成具有特殊功能材料的一种有效手段，通过选择合适的高能重离子辐照，实现有选择结构相变，可以合成新掣功能材料。